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1. (WO2018040464) STRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES BOA À BASE DE TFT IGZO
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N° de publication : WO/2018/040464 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/070280
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 05.01.2017
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
石龙强 SHI, Longqiang; CN
Mandataire :
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/王浩 WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Données relatives à la priorité :
201610796745.231.08.2016CN
Titre (EN) STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR IGZO-TFT-BASED BOA LIQUID CRYSTAL PANEL
(FR) STRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES BOA À BASE DE TFT IGZO
(ZH) 一种基于IGZO-TFT的BOA液晶面板的结构及制作方法
Abrégé :
(EN) A structure and manufacturing method for an IGZO-TFT-based BOA liquid crystal panel. The method comprises the following steps: 1) manufacturing a black matrix (2); 2) manufacturing a gate (4); 3) manufacturing a GI (5); 4) manufacturing source and drain electrodes (6); 5) manufacturing an IGZO (7); 6) manufacturing a PV (8); 7) manufacturing R/G/B (10); and 8) manufacturing an ITO (11). The manufacturing method proposes an IGZO-TFT BOA device using copper oxide as a black matrix (2) and having a co-plane structure, and effectively avoids the risk of an IGZO (7) being etched.
(FR) L'invention concerne une structure et un procédé de fabrication pour un panneau à cristaux liquides BOA à base de TFT IGZO. Le procédé comprend les étapes suivantes : 1) fabriquer une matrice noire (2) ; 2) fabriquer une grille (4) ; 3) fabriquer un GI (5) ; 4) fabriquer des électrodes de source et de drain (6) ; 5) fabriquer un IGZO (7) ; 6) fabriquer un PV (8) ; 7) fabriquer des R/V/B (10); et 8) fabriquer un ITO (11). Le procédé de fabrication propose un dispositif BOA TFT IGZO utilisant de l'oxyde de cuivre comme matrice noire (2) et ayant une structure coplanaire, et évite efficacement le risque de gravure d'un IGZO (7).
(ZH) 一种基于IGZO-TFT的BOA液晶面板的结构及制作方法,其中方法具有如下步骤:(1)制作黑色矩阵(2);(2)制作栅(4);(3)制作GI(5);(4)制作源漏极(6);(5)制作IGZO(7);(6)制作PV(8);(7)制作R/G/B(10);(8)制作ITO(11)。该制作方法提出了用氧化铜做黑色矩阵(2)的共平面结构的IGZO-TFT的BOA器件,有效地避免IGZO(7)被刻蚀的风险。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)