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1. (WO2018040409) TRANSISTOR À COUCHES MINCES À OXYDE MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/040409    International Application No.:    PCT/CN2016/111771
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Dec 24 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/786
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: QIN, Fang
秦芳
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES À OXYDE MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces à oxyde métallique et un procédé de fabrication dudit transistor. L’ajout d’une couche d’une nanocouche mince TiO2 (16) sur une couche active d'IGZO (13) permet de bloquer la lumière UV et les polluants externes et de ne pas laisser ceux-ci influencer la stabilité de la couche active d'IGZO (13) ; et l’absence de photomasque sur un dispositif améliorant la stabilité de celui-ci.