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1. (WO2018040379) DISPOSITIF D’AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2018/040379 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/110325
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 16.12.2016
CIB :
H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Road Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
石龙强 SHI, Longqiang; CN
Mandataire :
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/王浩 WU, Dajian / WANG, Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Données relatives à la priorité :
201610795991.631.08.2016CN
Titre (EN) ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D’AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 一种有机发光显示装置及其制造方法
Abrégé :
(EN) An organic light-emitting display device and a manufacturing method therefor. In the organic light-emitting display device, a switch thin-film field effect transistor (T1) is provided with a first active layer (9) for reducing a sub-threshold swing of a transfer characteristic curve of the switch thin-film field effect transistor (T1), and a drive thin-film field effect transistor (T2) is provided with a second active layer (10) for increasing a sub-threshold swing of a transfer characteristic curve of the drive thin-film field effect transistor (T2).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'affichage électroluminescent organique et son procédé de fabrication. Dans le dispositif d'affichage électroluminescent organique, un transistor à effet de champ à couche mince de commutation (T1) est pourvu d'une première couche active (9) pour réduire une excursion de sous-seuil d'une courbe caractéristique de transfert du transistor à effet de champ à couche mince de commutation (T1), et un transistor à effet de champ à couche mince d'attaque (T2) est pourvu d'une seconde couche active (10) pour augmenter une excursion de sous-seuil d'une courbe caractéristique de transfert du transistor à effet de champ à couche mince d'attaque (T2).
(ZH) 一种有机发光显示装置及其制造方法。在有机发光显示装置中,开关薄膜场效应晶体管(T1)具有用于降低该开关薄膜场效应晶体管(T1)的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层(9),驱动薄膜场效应晶体管(T2)具有用于增加该驱动薄膜场效应晶体管(T2)的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层(10)。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)