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1. (WO2018040322) UNITÉ D'ATTAQUE DE GOA ET CIRCUIT D'ATTAQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/040322    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/107603
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.11.2016
CIB :
G09G 3/36 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZENG, Mian; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/LIU Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610793464.1 31.08.2016 CN
Titre (EN) GOA DRIVE UNIT AND DRIVE CIRCUIT
(FR) UNITÉ D'ATTAQUE DE GOA ET CIRCUIT D'ATTAQUE
(ZH) 一种GOA驱动单元及驱动电路
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a GOA drive unit and a drive circuit. The GOA drive unit comprises a first pull-down transistor (T42), a second pull-down transistor (T43), a third pull-down transistor (T32), a fourth pull-down transistor (T33), a fifth pull-down transistor (T56) for maintaining a low voltage of the gate electrodes of the first pull-down transistor (T42) and the third pull-down transistor (T32), and a sixth pull-down transistor (T66) for a maintaining a low voltage of the gate electrodes of the second pull-down transistor (T43) and the fourth pull-down transistor (T33). The drive unit can reliably stabilize the voltage of key circuit nodes in a circuit.
(FR)L'invention concerne une unité d'attaque de GOA et un circuit d'attaque. L'unité d'attaque de GOA comprend un premier transistor de résistance de rappel (T42), un deuxième transistor de résistance de rappel (T43), un troisième transistor de résistance de rappel (T32), un quatrième transistor de résistance de rappel (T33), un cinquième transistor de résistance de rappel (T56) permettant de maintenir une basse tension des électrodes de grille du premier transistor de résistance de rappel (T42) et du troisième transistor de résistance de rappel (T32), et un sixième transistor de résistance de rappel (T66) permettant de maintenir une basse tension des électrodes de grille du second transistor de résistance de rappel (T43) et du quatrième transistor de résistance de rappel (T33). L'unité d'attaque peut stabiliser de manière fiable la tension de nœuds de circuit clé dans un circuit.
(ZH)公开了一种GOA驱动单元及驱动电路,该GOA驱动单元包括第一下拉晶体管(T42)、第二下拉晶体管(T43)、第三下拉晶体管(T32)和第四下拉晶体管(T33),用于维持第一下拉晶体管(T42)和第三下拉晶体管(T32)栅极低电压的第五下拉晶体管(T56)和用于维持第二下拉晶体管(T43)和第四下拉晶体管(T33)栅极低电压的第六下拉晶体管(T66)。该驱动单元能够可靠地稳定电路中关键电路节点的电压。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)