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1. (WO2018040245) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE HBT
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N° de publication :    WO/2018/040245    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/102295
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 18.10.2016
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.1721-1725,Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventeurs : CHU, Ching-Fang; (CN).
WEI, Houng-Chi; (CN).
WANG, Jiang; (CN).
DOU, Yong-Ming; (CN).
XU, Yanli; (CN).
LI, Bin; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610773723.4 31.08.2016 CN
Titre (EN) HBT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE HBT
(ZH) 一种HBT制造方法
Abrégé : front page image
(EN)An HBT manufacturing method. The method comprises successively performing on a semiconductor substrate: emitter mesa etching, so as to leave an electrode forming region of an emitter electrode, to expose an electrode forming region of a base electrode layer (4) and to manufacture a base electrode (8), performing base electrode mesa etching so as to expose an electrode forming region of a collector electrode layer and to manufacture a collector electrode (9), depositing a dielectric layer (10) outside the electrode forming region of the emitter electrode, and etching the dielectric layer so as to open holes in regions corresponding to the base electrode and the collector electrode, and at the same time manufacturing a collector electrode lead-out wire (12), a base electrode lead-out wire (13) and an emitter electrode (11), and carrying out electrode interconnection wiring. An emitter electrode, a base electrode lead-out wire and a collector electrode lead-out wire are manufactured in the same process, thereby saving on the process of independently manufacturing the emitter electrode, and reducing the manufacturing costs.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de HBT. Le procédé consiste à effectuer successivement sur un substrat semi-conducteur : une gravure mesa d'émetteur, de manière à laisser une région de formation d'électrodes d'une électrode d'émetteur, pour exposer une région de formation d'électrodes d'une couche d'électrode de base (4) et pour fabriquer une électrode de base (8), réaliser une gravure mesa d'électrode de base de manière à exposer une région de formation d'électrodes d'une couche d'électrode de collecteur et fabriquer une électrode de collecteur (9), le dépôt d'une couche diélectrique (10) à l'extérieur de la région de formation d'électrodes de l'électrode d'émetteur, et la gravure de la couche diélectrique de manière à ouvrir des trous dans des régions correspondant à l'électrode de base et à l'électrode de collecteur, et en même temps fabriquer un fil de sortie d'électrode de collecteur (12), un fil de sortie d'électrode de base (13) et une électrode d'émetteur (11), et réaliser un câblage d'interconnexion d'électrode. Une électrode d'émetteur, un fil de sortie d'électrode de base et un fil de sortie d'électrode de collecteur sont fabriqués dans le même processus, ce qui permet d'économiser en processus de fabrication indépendante de l'électrode d'émetteur, et de réduire les coûts de fabrication.
(ZH)一种HBT制造方法,对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层(4)的电极形成区域并制作基极电极(8),进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极(9),于发射极的电极形成区域之外沉积介质层(10),腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔,同时制作集电极电极引出线(12)、基极电极引出线(13)以及发射极电极(11)以及进行电极互联布线。通过将发射极电极、基极电极引出线以及集电极电极引出线于同一工序中同时制作,省却了单独的发射极电极制作工序,从而降低了制造成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)