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1. (WO2018040234) SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/040234 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/101911
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 12.10.2016
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 27/12][IPC code unknown for H01L 21/77][IPC code unknown for G02F 1/1368]
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号谭玉 TAN Yu No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
周志超 ZHOU, Zhichao; CN
周佑联 CHOU, Yu lien; CN
武岳 WU, Yue; CN
Mandataire :
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd,Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201610793913.231.08.2016CN
Titre (EN) TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) TFT阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé :
(EN) Provided are a TFT array substrate and a manufacturing method thereof, and a display device. The TFT array substrate comprises a glass substrate (1); a buffer layer (2); a source (4); a passivation layer (3); a gate (7); a gate insulating layer (5); an active layer (6); and a pixel electrode (8).
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau TFT et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage. Le substrat de réseau TFT comprend un substrat de verre (1); une couche tampon (2); une source (4); une couche de passivation (3); une grille (7); une couche d'isolation de grille (5); une couche active (6); et une électrode de pixel (8).
(ZH) 一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置,TFT阵列基板包括一玻璃基板(1)、一缓冲层(2)、一源极(4)、一钝化层(3)、一栅极(7)、一栅极绝缘层(5)、一有源层(6)以及一像素电极(8)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)