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1. (WO2018040159) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/040159    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/100046
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 26.09.2016
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : XU, Liang; (CN)
Mandataire : MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Suite 611, 6/F, Block 206, Nanyou Second Industrial Zone(Block B,HengYue Center), No.21 Dengliang Road, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518054 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610776887.2 30.08.2016 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND LIQUID CRYSTAL PANEL
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 阵列基板及其制作方法、液晶面板
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate (100), comprising: a substrate (110); a gate line (120a) on the substrate (110) and a gate electrode (120b) connected to the gate line (120a); a first insulating layer (130) covering the gate line (120a) and the gate electrode (120b); an active layer (140) on the first insulating layer (130); an organic layer (150) on the first insulating layer (130) and exposing the active layer (140); a source electrode (160b) and a drain electrode (160a) on the organic layer (150), and a data line (160c) connected to the source electrode (160b), wherein the source electrode (160b) and the drain electrode (160a) are respectively in contact with the active layer (140), and the data line (160c) is overlapped with the gate line (120a); a second insulating layer (170) covering the source electrode (160b), the drain electrode (160a), the data line (160c) and the active layer (140); a through hole (171) in the second insulating layer (170), wherein the through hole (171) exposes the drain electrode (160a); and a pixel electrode (180) on the second insulating layer (170), wherein the pixel electrode (180) is in contact with the drain electrode (160a) via the through hole (171). By means of overlapping the data line (160c) with the gate line (120a), the space occupied by the gate line (120a) and the data line (160c) on the substrate (110) is reduced, thereby achieving an improvement in the aperture ratio.
(FR)Un substrat de réseau (100), comprenant : un substrat (110); une ligne de grille (120a) sur le substrat (110) et une électrode de grille (120b) connectée à la ligne de grille (120a); une première couche isolante (130) recouvrant la ligne de grille (120a) et l'électrode de grille (120b); une couche active (140) sur la première couche isolante (130); une couche organique (150) sur la première couche isolante (130) et exposant la couche active (140); une électrode de source (160b) et une électrode de drain (160a) sur la couche organique (150), et une ligne de données (160c) connectée à l'électrode de source (160b), l'électrode de source (160b) et l'électrode de drain (160a) sont respectivement en contact avec la couche active (140), et la ligne de données (160c) est chevauchée par la ligne de grille (120a); une deuxième couche isolante (170) recouvrant l'électrode de source (160b), l'électrode de drain (160a), la ligne de données (160c) et la couche active (140); un trou traversant (171) dans la seconde couche isolante (170), le trou traversant (171) exposant l'électrode de drain (160a); et une électrode de pixel (180) sur la seconde couche isolante (170), l'électrode de pixel (180) étant en contact avec l'électrode de drain (160a) par l'intermédiaire du trou traversant (171). Par chevauchement de la ligne de données (160c) avec la ligne de grille (120a), l'espace occupé par la ligne de grille (120a) et la ligne de données (160c) sur le substrat (110) est réduite, ce qui permet d'obtenir une amélioration du rapport d'ouverture.
(ZH)一种阵列基板(100),其包括:基板(110);在基板(110)上的栅极线(120a)以及与栅极线(120a)连接的栅极(120b);覆盖栅极线(120a)和栅极(120b)的第一绝缘层(130);在第一绝缘层(130)上的有源层(140);在第一绝缘层(130)上且将有源层(140)暴露的有机层(150);在有机层(150)上的源极(160b)、漏极(160a)以及与源极(160b)连接的数据线(160c),源极(160b)和漏极(160a)分别与有源层(140)接触,数据线(160c)与栅极线(120a)重叠在一起;覆盖源极(160b)、漏极(160a)、数据线(160c)以及有源层(140)的第二绝缘层(170);在第二绝缘层(170)中的过孔(171),过孔(171)暴露漏极(160a);在第二绝缘层(170)上的像素电极(180),像素电极(180)通过过孔(171)接触漏极(160a)。通过使数据线(160c)与栅极线(120a)重叠在一起,减小栅极线(120a)和数据线(160c)所占基板(110)的空间,从而实现开口率的提升。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)