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1. (WO2018039962) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/039962 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/097459
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2016
CIB :
G01T 1/20 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015, CN
Inventeurs : TIAN, Hui; CN
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RADIATION DETECTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN) A radiation detector having a plurality of pixels. The radiation detector includes a base substrate (201); a thin film transistor (202) on the base substrate (201); a scintillator layer (203) on a side of the thin film transistor (202) distal to the base substrate (201) for converting radiation into light; and a photosensor (PS) on a side of the thin film transistor (202) distal to the base substrate (201) and proximal to the scintillator layer (203) for converting light to electrical charges. The photosensor (PS) and the thin film transistor (202) are in two different vertically stacked layers of a vertically stacked multi-layer structure. The photosensor (PS) includes a photoelectric conversion layer (204) optically coupled to the scintillator layer (203).
(FR) L'invention concerne un détecteur de rayonnement ayant une pluralité de pixels. Le détecteur de rayonnement comprend un substrat de base (201) ; un transistor en couches minces (202) sur le substrat de base (201) ; une couche de scintillateur (203) sur un côté du transistor en couches minces (202), distale par rapport au substrat de base (201), servant à convertir un rayonnement en lumière ; un capteur optique (PS) sur un côté du transistor en couches minces (202), distal par rapport au substrat de base (201) et proximal par rapport à la couche de scintillateur (203), servant à convertir la lumière en charges électriques. Le capteur optique (PS) et le transistor à couches minces (202) se trouvent sur deux couches différentes, empilées verticalement, d'une structure multicouche empilée verticalement. Le capteur optique (PS) comprend une couche de conversion photoélectrique (204) couplée optiquement à la couche de scintillateur (203).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)