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1. (WO2018039939) DÉTECTEUR DE PRESSION CAPACITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2018/039939 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/097407
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 30.08.2016
CIB :
G01L 1/14 (2006.01) ,G06F 3/044 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : ZHANG, Bo; CN
ZHANG, Min; CN
ZHANG, Chenxiong; CN
Mandataire : LONGSUN LEAD IP LTD.; Rm.101, Building 3 No. 68 Beiqing Road, Haidian District Beijing 100094, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DÉTECTEUR DE PRESSION CAPACITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 电容式压力传感器及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN) A capacitive pressure sensor, comprising: a first flexible substrate (101), a first graphene electrode plate (102), an insulation dielectric layer (103), a second graphene electrode plate (104) and a second flexible substrate (105), wherein the insulation dielectric layer (103) is for separating and holding the first graphene electrode plate (102) and the second graphene electrode plate (104) at predetermined intervals; and the first graphene electrode plate (102) and the second graphene electrode plate (104) respectively comprise at least one series of graphene electrodes, wherein the at least one series of graphene electrodes of the first graphene electrode plate (102) and the at least one series of graphene electrodes of the second graphene electrode plate (104) are cross-arranged, and also each capacitance among the multiple capacitances in the capacitive pressure sensor comprises a pair of oppositely facing graphene electrodes located at the intersection of the first graphene electrode plate (102) and the second graphene electrode plate (104). Also provided is a manufacturing method for the capacitive pressure sensor.
(FR) L'invention concerne un détecteur de pression capacitif comprenant : un premier substrat souple (101), une première plaque d'électrode en graphène (102), une couche diélectrique d'isolation (103), une seconde plaque d'électrode en graphène (104) et un second substrat flexible (105), la couche diélectrique d'isolation (103) étant destinée à séparer et à maintenir la première plaque d'électrode en graphène (102) et la seconde plaque d'électrode en graphène (104) à des intervalles prédéfinis ; et la première plaque d'électrode en graphène (102) et la seconde plaque d'électrode en graphène (104) comprennent respectivement au moins une série d'électrodes en graphène, lesdites séries d'électrodes en graphène de la première plaque d'électrode en graphène (102) et lesdites séries d'électrodes en graphène de la seconde plaque d'électrode en graphène (104) sont disposées en croix, et également chaque capacitance parmi les capacitances multiples dans le détecteur de pression capacitif comprend une paire d'électrodes en graphène se faisant face situées à l'intersection de la première plaque d'électrode en graphène (102) et de la seconde plaque d'électrode en graphène (104). L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit détecteur de pression capacitif.
(ZH) 一种电容式压力传感器,包括:第一柔性衬底(101)、第一石墨烯电极板(102)、绝缘介质层(103)、第二石墨烯电极板(104)和第二柔性衬底(105),其中,该绝缘介质层(103)用于将第一石墨烯电极板(102)和第二石墨烯电极板(104)隔离且保持预定间隔;第一石墨烯电极板(102)和第二石墨烯电极板(104)中分别包括至少一路串联的石墨烯电极,第一石墨烯电极板(102)的至少一路串联的石墨烯电极和第二石墨烯电极板(104)的至少一路串联的石墨烯电极交叉排列,并且该电容式压力传感器的多个电容中的每个电容包括第一石墨烯电极板(102)和第二石墨烯电极板(104)中位于交叉位置的一对相向面对的石墨烯电极。还提供了一种电容式压力传感器的制作方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)