Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018039654) CHAÎNES DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES NON-VOLATILES À COUPLAGE CAPACITIF DANS DES RÉSEAUX TRIDIMENSIONNELS

Pub. No.:    WO/2018/039654    International Application No.:    PCT/US2017/048768
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Aug 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/02
H01L 21/28
H01L 21/768
H01L 21/3213
H01L 23/528
H01L 29/06
H01L 29/08
H01L 29/10
H01L 29/423
H01L 29/51
H01L 29/66
Applicants: SUNRISE MEMORY CORPORATION
Inventors: HARARI, Eli
Title: CHAÎNES DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES NON-VOLATILES À COUPLAGE CAPACITIF DANS DES RÉSEAUX TRIDIMENSIONNELS
Abstract:
L'invention concerne des réseaux de chaînes de transistors à couches minces (TFT) flash NON-OU à grilles multiples, organisés sous la forme de piles tridimensionnelles de bandes actives. Chaque bande active comprend une sous-couche de source partagée et une sous-couche de drain partagé qui est connectée à des circuits de substrat. La mémorisation de données dans la bande active s'effectue au moyen d'éléments de stockage de charges placés entre la bande active et une multiplicité des grilles de commande fournies par les lignes de mot locales adjacentes. La capacité parasite de chaque bande active est utilisée pour éliminer une connexion de masse de fil dur à la source partagée, pour en faire une source semi-flottante ou virtuelle. Des tensions de précharge fournies temporairement à partir du substrat par l'intermédiaire d'un port unique par bande active fournissent les tensions appropriées sur la source et le drain nécessaires pendant les opérations de lecture, de programme, d'inhibition de programme, et d'effacement. Des TFT sur de multiples bandes actives peuvent être pré-chargés séparément, puis lus, programmés ou effacés ensemble dans une opération massivement parallèle.