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1. (WO2018039349) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/039349 N° de la demande internationale : PCT/US2017/048215
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 23.08.2017
CIB :
H01L 27/11521 (2017.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
788
à grille flottante
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants : KWON, Euipil[KR/US]; US
Inventeurs : KWON, Euipil; US
Mandataire : KWON, Sang, Chul; US
Données relatives à la priorité :
15/246,16124.08.2016US
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same. The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate, a first and a second diffusion regions formed under a surface of the semiconductor substrate, a storage layer formed on the semiconductor substrate, a gate stacked on the storage layer, wherein the first diffusion region may at least one of active regions being separated by a part of the semiconductor substrate forming a channel region., wherein the second diffusion region may include an active region intersecting the gate insulating layer, wherein the storage layer may include an insulating layer or a variable resistor, and may service as a data storage layer to store data, and may be selected by a structure including the first and the second diffusion regions.
(FR) L'invention concerne un dispositif un dispositif de mémoire non volatile et son procédé de fabrication. Le dispositif de mémoire non volatile comprend un substrat semi-conducteur, une première et une seconde région de diffusion formées sous une surface du substrat semi-conducteur, une couche de stockage formée sur le substrat semi-conducteur, une grille empilée sur la couche de stockage, la première région de diffusion pouvant comprendre au moins une des régions actives étant séparée par une partie du substrat semi-conducteur formant une région de canal, la seconde région de diffusion pouvant comprendre une région active croisant la couche d'isolation de grille, la couche de stockage pouvant comprendre une couche isolante ou une résistance variable, et peut être utilisée en tant que couche de stockage de données pour stocker des données, et peut être sélectionnée par une structure comprenant les première et seconde régions de diffusion.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)