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1. (WO2018039224) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE RÉSEAU DE BRAGG À HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/039224    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/048004
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 22.08.2017
CIB :
H01S 5/14 (2006.01)
Déposants : MORTON PHOTONICS INCORPORATED [US/US]; 3301 Velvet Valley Drive West Friendship, MD 21794 (US)
Inventeurs : MORTON, Paul, A.; (US)
Mandataire : WOLIN, Harris A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/377,760 22.08.2016 US
Titre (EN) HIGH POWER BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE RÉSEAU DE BRAGG À HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A laser including: a gain chip; an external cavity incorporating a Bragg grating; and a baseplate; wherein a first end of the gain chip has a high reflectivity facet forming a first end of the laser cavity; a second end of the gain chip has a low reflectivity facet; and a second part of the external cavity comprises a Bragg grating, supported by the baseplate, the temperature of the baseplate being maintained through a feedback loop; wherein the optical length of the external cavity is at least an order of magnitude greater than the optical length of the gain chip; wherein the Bragg grating is physically long and occupies a majority of the length of the external cavity and is apodized to control the sidemodes of the grating reflection.
(FR)Un laser comprend : une puce de gain; une cavité externe incorporant un réseau de Bragg; et une plaque de base; une première extrémité de la puce de gain ayant une facette à réflectivité élevée formant une première extrémité de la cavité laser; une seconde extrémité de la puce de gain a une facette à faible réflectivité; et une seconde partie de la cavité externe comprend un réseau de Bragg, supporté par la plaque de base, la température de la plaque de base étant maintenue à travers une boucle de rétroaction; la longueur optique de la cavité externe étant au moins un ordre de grandeur supérieur à la longueur optique de la puce de gain; le réseau de Bragg étant physiquement long et occupant une majorité de la longueur de la cavité externe et étant apodisé pour commander les modes latéraux de la réflexion de réseau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)