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1. (WO2018039215) DÉTECTION DE POLARISATION COMPLÈTE DANS UN RÉSEAU DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/039215 N° de la demande internationale : PCT/US2017/047991
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 22.08.2017
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
22
utilisant des éléments ferro-électriques
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs : DI VINCENZO, Umberto; US
BEDESCHI, Ferdinando; US
Mandataire : HARRIS, Philip W.; US
Données relatives à la priorité :
15/246,24924.08.2016US
Titre (EN) FULL BIAS SENSING IN A MEMORY ARRAY
(FR) DÉTECTION DE POLARISATION COMPLÈTE DANS UN RÉSEAU DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Methods, systems, and apparatuses for full bias sensing in a memory array are described. Various embodiments of an access operation of a cell in a array may be timed to allow residual charge of a middle electrode between the cell and a selection component to discharge. Access operations may also be timed to allow residual charge of middle electrodes associated with other cells to be discharged. In conjunction with an access operation for a target cell, a residual charge of a middle electrode of another cell may be discharged, and the target cell may then be accessed. A capacitor in electronic communication with a cell may be charged and a logic state of the cell determined based on the charge of the capacitor. The timing for charging the capacitor may be related to the time for discharging a middle electrode of the cell or another cell.
(FR) L'invention concerne des procédés, des systèmes et des appareils pour une détection de polarisation complète dans un réseau de mémoire. Conformément à différents modes de réalisation, l'invention porte sur une opération d'accès d'une cellule dans un réseau pouvant être synchronisée pour permettre à une charge résiduelle d'une électrode centrale entre la cellule et un composant de sélection de se décharger. Des opérations d'accès peuvent également être synchronisées pour permettre à la charge résiduelle d'électrodes centrales associées à d'autres cellules d'être déchargée. Conjointement avec une opération d'accès pour une cellule cible, une charge résiduelle d'une électrode centrale d'une autre cellule peut être déchargée, et la cellule cible peut alors être accessible. Un condensateur en communication électronique avec une cellule peut être chargé et un état logique de la cellule déterminé sur la base de la charge du condensateur. La synchronisation pour charger le condensateur peut être liée au temps de décharge d'une électrode centrale de la cellule ou d'une autre cellule.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)