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1. (WO2018039108) DISPOSITIFS DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET) EMPLOYANT UNE DISPOSITION DE LARGEUR DE GRILLE ACTIVE/GRILLE FACTICE ASYMÉTRIQUE ADJACENTE

Pub. No.:    WO/2018/039108    International Application No.:    PCT/US2017/047747
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: CHOI, Youn Sung
ROH, Ukjin
EKBOTE, Shashank
Title: DISPOSITIFS DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET) EMPLOYANT UNE DISPOSITION DE LARGEUR DE GRILLE ACTIVE/GRILLE FACTICE ASYMÉTRIQUE ADJACENTE
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs de transistor à effet de champ (FET) utilisant une disposition de largeur de grille active/grille factice asymétrique adjacente. Dans un aspect donné à titre d'exemple, l'invention concerne une cellule FET qui comprend un dispositif FET ayant une grille active, une région de source et une région de drain. La cellule FET comprend également une structure d'isolation comportant une grille factice sur une rupture de diffusion adjacente à la région de source ou à la région de drain. La cellule FET présente une disposition de largeur de grille active/grille factice asymétrique dans la mesure où une largeur de la grille active est supérieure à une largeur de la grille factice adjacente. La largeur accrue de la grille active fournit une commande de grille accrue et la largeur réduite de la grille factice augmente l'isolation à partir de la grille factice, réduisant ainsi une fuite sous-seuil à travers la grille factice.