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1. (WO2018038980) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN DISPOSITIF À L'AIDE D'UNE MÉTALLISATION DE FACE ARRIÈRE DANS UN PROCESSUS DE TRANSFERT DE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/038980    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047018
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 15.08.2017
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM SWITCH CORP. [US/US]; Suite 100 4795 Eastgate Mall San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : GOKTEPELI, Sinan; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/246,453 24.08.2016 US
Titre (EN) DEVICE PERFORMANCE IMPROVEMENT USING BACKSIDE METALLIZATION IN A LAYER TRANSFER PROCESS
(FR) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN DISPOSITIF À L'AIDE D'UNE MÉTALLISATION DE FACE ARRIÈRE DANS UN PROCESSUS DE TRANSFERT DE COUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A silicon-on-insulator (SOI) device includes an active layer including active devices, such as transistors. Below the active layer is an insulating layer, e.g., an SOI buried oxide layer (BOX), and below the BOX layer, one or more metal layers. The metal layer adjacent the BOX layer includes at least one metal region positioned below a corresponding active device, e.g., the channel region or diffusion region of the transistor. The metal region, during operation of the device, may act as a heat sink for the active device or may be biased to improve the performance of the active device.
(FR)Selon l'invention, un dispositif silicium sur isolant (SOI) comporte une couche active comprenant des dispositifs actifs tels que des transistors. Une couche isolante est située au-dessous de la couche active, par exemple une couche d'oxyde enterré de SOI (BOX), et au moins une couche métallique est située au-dessous de la couche BOX. La couche métallique adjacente à la couche BOX comprend au moins une région métallique située au-dessous d'un dispositif actif correspondant, par exemple la région de canal ou la région de diffusion du transistor. Pendant le fonctionnement du dispositif, la région métallique peut servir de dissipateur thermique pour le dispositif actif ou être polarisée afin d'améliorer les performances du dispositif actif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)