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1. (WO2018038980) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN DISPOSITIF À L'AIDE D'UNE MÉTALLISATION DE FACE ARRIÈRE DANS UN PROCESSUS DE TRANSFERT DE COUCHE

Pub. No.:    WO/2018/038980    International Application No.:    PCT/US2017/047018
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 16 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/84
H01L 27/12
Applicants: QUALCOMM SWITCH CORP.
Inventors: GOKTEPELI, Sinan
Title: AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN DISPOSITIF À L'AIDE D'UNE MÉTALLISATION DE FACE ARRIÈRE DANS UN PROCESSUS DE TRANSFERT DE COUCHE
Abstract:
Selon l'invention, un dispositif silicium sur isolant (SOI) comporte une couche active comprenant des dispositifs actifs tels que des transistors. Une couche isolante est située au-dessous de la couche active, par exemple une couche d'oxyde enterré de SOI (BOX), et au moins une couche métallique est située au-dessous de la couche BOX. La couche métallique adjacente à la couche BOX comprend au moins une région métallique située au-dessous d'un dispositif actif correspondant, par exemple la région de canal ou la région de diffusion du transistor. Pendant le fonctionnement du dispositif, la région métallique peut servir de dissipateur thermique pour le dispositif actif ou être polarisée afin d'améliorer les performances du dispositif actif.