Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018038927) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) À EFFICACITÉ D'EXTRACTION DE LUMIÈRE ÉLEVÉE (LEE)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/038927 N° de la demande internationale : PCT/US2017/046255
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 10.08.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/18 (2010.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/20 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
16
ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
18
au sein de la région électroluminescente
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
Déposants :
THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main University Park, PA 16802, US
Inventeurs :
YIN, Shizhuo; US
CHEN, Chang-Jiang; US
CHAO, Ju-Hung; US
ZHU, Wenbin; US
Mandataire :
WATHEN, Douglas, L.; US
ANDERSON, Thomas, E.; US
CHAU, John; US
CITKOWSKI, Ronald, W.; US
GIFFORD, Ernest, I.; US
Données relatives à la priorité :
62/379,88826.08.2016US
Titre (EN) HIGH LIGHT-EXTRACTION EFFICIENCY (LEE) LIGHT-EMITTING DIODE (LED)
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) À EFFICACITÉ D'EXTRACTION DE LUMIÈRE ÉLEVÉE (LEE)
Abrégé :
(EN) A light-emitting diode, comprising a substrate that has a first surface and an opposing second surface. A reflection layer is disposed on the first surface of the substrate and a light- emitting diode structure is arranged on the second surface of the substrate. The light-emitting diode structure includes a first semiconducting layer, an active layer and a second semiconducting layer disposed consecutively on the second surface. A plurality of protruding asymmetric micro-structured elements define at least a part of the second surface of the substrate such that at least a portion of a surface of each micro- structured element is disposed at an obtuse angle to the first surface of the substrate when measured from within the respective micro- structured element. The first semiconducting layer and the second semiconducting layer respectively have a first electrode and a second electrode.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente qui comprend un substrat ayant une première surface et une seconde surface opposée. Une couche de réflexion est disposée sur la première surface du substrat et une structure de diode électroluminescente est disposée sur la seconde surface du substrat. La structure de diode électroluminescente comprend une première couche semi-conductrice, une couche active et une seconde couche semi-conductrice disposées consécutivement sur la seconde surface. Une pluralité d'éléments microstructurés asymétriques saillants définit au moins une partie de la seconde surface du substrat de telle sorte qu'au moins une partie d'une surface de chaque élément microstructuré est disposée à un angle obtus par rapport à la première surface du substrat lorsqu'elle est mesurée depuis l'intérieur de l'élément microstructuré respectif. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice comportent respectivement une première électrode et une seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)