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1. (WO2018038927) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) À EFFICACITÉ D'EXTRACTION DE LUMIÈRE ÉLEVÉE (LEE)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/038927    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/046255
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 10.08.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/18 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01)
Déposants : THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main University Park, PA 16802 (US)
Inventeurs : YIN, Shizhuo; (US).
CHEN, Chang-Jiang; (US).
CHAO, Ju-Hung; (US).
ZHU, Wenbin; (US)
Mandataire : WATHEN, Douglas, L.; (US).
ANDERSON, Thomas, E.; (US).
CHAU, John; (US).
CITKOWSKI, Ronald, W.; (US).
GIFFORD, Ernest, I.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/379,888 26.08.2016 US
Titre (EN) HIGH LIGHT-EXTRACTION EFFICIENCY (LEE) LIGHT-EMITTING DIODE (LED)
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) À EFFICACITÉ D'EXTRACTION DE LUMIÈRE ÉLEVÉE (LEE)
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting diode, comprising a substrate that has a first surface and an opposing second surface. A reflection layer is disposed on the first surface of the substrate and a light- emitting diode structure is arranged on the second surface of the substrate. The light-emitting diode structure includes a first semiconducting layer, an active layer and a second semiconducting layer disposed consecutively on the second surface. A plurality of protruding asymmetric micro-structured elements define at least a part of the second surface of the substrate such that at least a portion of a surface of each micro- structured element is disposed at an obtuse angle to the first surface of the substrate when measured from within the respective micro- structured element. The first semiconducting layer and the second semiconducting layer respectively have a first electrode and a second electrode.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente qui comprend un substrat ayant une première surface et une seconde surface opposée. Une couche de réflexion est disposée sur la première surface du substrat et une structure de diode électroluminescente est disposée sur la seconde surface du substrat. La structure de diode électroluminescente comprend une première couche semi-conductrice, une couche active et une seconde couche semi-conductrice disposées consécutivement sur la seconde surface. Une pluralité d'éléments microstructurés asymétriques saillants définit au moins une partie de la seconde surface du substrat de telle sorte qu'au moins une partie d'une surface de chaque élément microstructuré est disposée à un angle obtus par rapport à la première surface du substrat lorsqu'elle est mesurée depuis l'intérieur de l'élément microstructuré respectif. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice comportent respectivement une première électrode et une seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)