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1. (WO2018038915) RÉSONATEURS À ONDES ACOUSTIQUES EN VOLUME À FILM MULTIFRÉQUENCE À PUCE UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/038915    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045982
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
CIB :
H03H 3/04 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YUN, Changhan Hobie; (US).
LAN, Je-Hsiung; (US).
ZUO, Chengjie; (US).
BERDY, David; (US).
KIM, Jonghae; (US).
VELEZ, Mario; (US).
MUDAKATTE, Niranjan Sunil; (US).
GU, Shiqun; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/247,803 25.08.2016 US
Titre (EN) SINGLE-CHIP MULTI-FREQUENCY FILM BULK ACOUSTIC-WAVE RESONATORS
(FR) RÉSONATEURS À ONDES ACOUSTIQUES EN VOLUME À FILM MULTIFRÉQUENCE À PUCE UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A single-die multi-FBAR (film bulk acoustic resonator) device (200) includes multiple FBARs (202, 204, 206) having different resonant frequencies formed over a single substrate (220). The FBARs include piezoelectric layers (212, 214, 216) having different thicknesses but with upper electrodes (218) formed at a same height over the substrate, lower electrodes (210) at different heights over the substrate, and different sized air gaps (224, 226, 228) separating the lower electrodes from the substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif multi-FBAR (résonateur acoustique en volume à film) à puce unique (200) qui comprend de multiples FBAR (202, 204, 206) possédant différentes fréquences de résonance formées sur un seul substrat (220). Les FBAR comprennent des couches piézoélectriques (212, 214, 216) possédant des épaisseurs différentes mais présentant des électrodes supérieures (218) formées à une même hauteur sur le substrat, des électrodes inférieures (210) à différentes hauteurs sur le substrat, et des entrefers de tailles différentes (224, 226, 228) séparant les électrodes inférieures du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)