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1. (WO2018038898) MITHRÈNE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MITHRÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/038898    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045609
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
C07C 391/02 (2006.01), C07C 395/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607-5200 (US)
Inventeurs : HOHMAN, James Nathan; (US).
COLLINS, Mary S.; (US).
SMIDT, Tess E.; (US)
Mandataire : OVANEZIAN, Daniel E.; (US).
JACOBS, JR., William D.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/371,700 05.08.2016 US
Titre (EN) MITHRENE AND METHODS OF FABRICATION OF MITHRENE
(FR) MITHRÈNE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MITHRÈNE
Abrégé : front page image
(EN)Described are metal organochalcogenides which are bulk nanomaterials, expressing monolayer properties in their as-synthesized states. Also described are certain novel metal organochalcogenide compositions. Further described are several methods of preparation of metal organochalcogenides, both solution- and vapor deposition-based, and methods of use of the resulting metal chalcogenides in assays and devices. [M-Z-R]∞ M is a metal selected from the group consisting of silver, lead, mercury, gold, copper, zinc, tin, cobalt, thallium, gallium, indium and cadmium; Z is selected from the group consisting of sulfur, selenium, tellurium and combinations thereof; and R is phenyl, naphthyl, biphenyl, methyl, ethyl, propyl, butyl or pentyl.
(FR)L'invention concerne des organochalcogénures métalliques qui sont des nanomatériaux en vrac, exprimant des propriétés de monocouche dans leurs états synthétisés. L'invention concerne également certaines nouvelles compositions d'organochalcogénures métalliques. L'invention concerne en outre plusieurs procédés de préparation d'organochalcogénures métalliques, basés à la fois sur le dépôt en solution et en phase vapeur, et des méthodes d'utilisation des chalcogénures métalliques ainsi obtenus pour des dosages et des dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)