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1. (WO2018038898) MITHRÈNE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MITHRÈNE
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N° de publication : WO/2018/038898 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045609
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
C07C 391/02 (2006.01) ,C07C 395/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
391
Composés contenant du sélenium
02
ayant des atomes de sélénium liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
395
Composés contenant du tellure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607-5200, US
Inventeurs :
HOHMAN, James Nathan; US
COLLINS, Mary S.; US
SMIDT, Tess E.; US
Mandataire :
OVANEZIAN, Daniel E.; US
JACOBS, JR., William D.; US
Données relatives à la priorité :
62/371,70005.08.2016US
Titre (EN) MITHRENE AND METHODS OF FABRICATION OF MITHRENE
(FR) MITHRÈNE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MITHRÈNE
Abrégé :
(EN) Described are metal organochalcogenides which are bulk nanomaterials, expressing monolayer properties in their as-synthesized states. Also described are certain novel metal organochalcogenide compositions. Further described are several methods of preparation of metal organochalcogenides, both solution- and vapor deposition-based, and methods of use of the resulting metal chalcogenides in assays and devices. [M-Z-R]∞ M is a metal selected from the group consisting of silver, lead, mercury, gold, copper, zinc, tin, cobalt, thallium, gallium, indium and cadmium; Z is selected from the group consisting of sulfur, selenium, tellurium and combinations thereof; and R is phenyl, naphthyl, biphenyl, methyl, ethyl, propyl, butyl or pentyl.
(FR) L'invention concerne des organochalcogénures métalliques qui sont des nanomatériaux en vrac, exprimant des propriétés de monocouche dans leurs états synthétisés. L'invention concerne également certaines nouvelles compositions d'organochalcogénures métalliques. L'invention concerne en outre plusieurs procédés de préparation d'organochalcogénures métalliques, basés à la fois sur le dépôt en solution et en phase vapeur, et des méthodes d'utilisation des chalcogénures métalliques ainsi obtenus pour des dosages et des dispositifs.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)