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1. (WO2018038865) PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN DISPOSITIF AYANT DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR SUR DEUX CÔTÉS D'UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE ENTERRÉE

Pub. No.:    WO/2018/038865    International Application No.:    PCT/US2017/044007
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jul 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/84
H01L 21/822
H01L 27/12
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: GOKTEPELI, Sinan
FANELLI, Stephen Alan
Title: PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN DISPOSITIF AYANT DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR SUR DEUX CÔTÉS D'UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE ENTERRÉE
Abstract:
L'invention concerne un procédé comprenant la réalisation d'un processus de gravure à partir d'un second côté d'une couche diélectrique enterrée pour exposer une couche d'arrêt de gravure, le second côté de la couche diélectrique enterrée étant opposé à un premier côté de la couche diélectrique enterrée, et un premier dispositif à semi-conducteur étant positionné sur le premier côté de la couche diélectrique enterrée. Le procédé comprend en outre la formation d'un second dispositif à semi-conducteur sur le second côté de la couche diélectrique enterrée.