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1. (WO2018038855) CAPTEURS DE TEMPÉRATURE DE RÉSISTANCE MÉTALLIQUE DE LIGNE CENTRALE (MOL) POUR LA DÉTECTION DE TEMPÉRATURE LOCALISÉE DE ZONES SEMI-CONDUCTRICES ACTIVES DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS (CI)
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N° de publication :    WO/2018/038855    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/043897
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 26.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.05.2018    
CIB :
G01K 7/18 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : GE, Lixin; (US).
CHIDAMBARAM, Periannan; (US).
YANG, Bin; (US).
LIN, Jiefeng, Jeff; (US).
NALLAPATI, Giridhar; (US).
YU, Bo; (US).
DENG, Jie; (US).
YUAN, Jun; (US).
SONG, Stanley, Seungchul; (US)
Mandataire : TERRANOVA, Steven, N.; (US).
DAVENPORT, Taylor, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/246,006 24.08.2016 US
Titre (EN) MIDDLE-OF-LINE (MOL) METAL RESISTOR TEMPERATURE SENSORS FOR LOCALIZED TEMPERATURE SENSING OF ACTIVE SEMICONDUCTOR AREAS IN INTEGRATED CIRCUITS (ICS)
(FR) CAPTEURS DE TEMPÉRATURE DE RÉSISTANCE MÉTALLIQUE DE LIGNE CENTRALE (MOL) POUR LA DÉTECTION DE TEMPÉRATURE LOCALISÉE DE ZONES SEMI-CONDUCTRICES ACTIVES DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS (CI)
Abrégé : front page image
(EN)Middle-of-line (MOL) metal resistor temperature sensors for localized temperature sensing of active semiconductor areas in integrated circuits (ICs) are disclosed. One or more metal resistors are fabricated in a MOL layer in the IC adjacent to an active semiconductor area to sense ambient temperature in the adjacent active semiconductor area. Voltage of the metal resistor will change as a function of ambient temperature of the metal resistor, which can be sensed to measure the ambient temperature around devices in the active semiconductor layer adjacent to the metal resistor. By fabricating a metal resistor in the MOL layer, the metal resistor can be localized adjacent and close to semiconductor devices to more accurately sense ambient temperature of the semiconductor devices. The same fabrication processes used to create contacts in the MOL layer can be used to fabricate the metal resistor.
(FR)L’invention concerne des capteurs de température de résistance métallique de ligne centrale (MOL) pour la détection de température localisée de zones semi-conductrices actives dans des circuits intégrés (CI). Une ou plusieurs résistances métalliques sont fabriquées dans une couche MOL dans le CI adjacent à une zone semi-conductrice active pour détecter la température ambiante dans la zone semi-conductrice active adjacente. La tension de la résistance métallique change en fonction de la température ambiante de la résistance métallique, qui peut être détectée pour mesurer la température ambiante autour de dispositifs dans la couche semi-conductrice active adjacente à la résistance métallique. Par fabrication d’une résistance métallique dans la couche MOL, la résistance métallique peut être localisée en position adjacente et à proximité de dispositifs à semi-conducteur pour détecter plus précisément la température ambiante des dispositifs à semi-conducteur. Les mêmes procédés de fabrication utilisés pour créer des contacts dans la couche MOL peuvent être utilisés pour fabriquer la résistance métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)