Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018038824) CONTACT DE SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SILICIURATION À DOUBLE CÔTÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/038824 N° de la demande internationale : PCT/US2017/042571
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 18.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 16.05.2018
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/768][IPC code unknown for H01L 23/48]
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
LOU, Perry Wyan; US
GOKTEPELI, Sinan; US
Mandataire :
LENKIN, Alan M.; US
LUTZ, Joseph; US
PARTOW-NAVID, Puya; US
FASHU-KANU, Alvin V.; US
Données relatives à la priorité :
15/245,08723.08.2016US
Titre (EN) SUBSTRATE CONTACT USING DUAL SIDED SILICIDATION
(FR) CONTACT DE SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SILICIURATION À DOUBLE CÔTÉ
Abrégé :
(EN) An integrated circuit device may include a front-side contact coupled to a front-side metallization. The integrated circuit device may further include a backside contact coupled to a backside metallization. The front-side contact may be directly coupled to the backside contact.
(FR) L'invention concerne un dispositif de type circuit intégré pouvant comprendre un contact côté avant couplé à une métallisation côté avant. Le dispositif de type circuit intégré peut en outre comprendre un contact côté arrière couplé à une métallisation côté arrière. Le contact côté avant peut être directement couplé au contact côté arrière.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)