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1. (WO2018038813) CORRECTION D'ERREUR DE LIAISON DANS UN SYSTÈME DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/038813 N° de la demande internationale : PCT/US2017/041129
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 07.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 20.02.2018
CIB :
G06F 11/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
08
Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle
10
en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
SUH, Jungwon; US
Mandataire :
OLDS, Mark E.; US
CICCOZZI, John L.; US
PODHAJNY, Daniel; US
Données relatives à la priorité :
15/643,45506.07.2017US
62/380,10426.08.2016US
Titre (EN) LINK ERROR CORRECTION IN MEMORY SYSTEM
(FR) CORRECTION D'ERREUR DE LIAISON DANS UN SYSTÈME DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Conventional link error correction techniques in memory subsystems include either widening the I/O width or increasing the burst length. However, both techniques have drawbacks. In one or more aspects, it is proposed to incorporate link error correction in both the host and the memory devices to address the drawbacks associated with the conventional techniques. The proposed memory subsystem is advantageous in that the interface architecture of conventional memory systems can be maintained. Also, the link error correction is capability is provided with the proposed memory subsystem without increasing the I/O width and without increasing the burst length.
(FR) Les techniques classiques de correction d'erreur de liaison dans des sous-systèmes de mémoire comprennent soit l'élargissement de la largeur d'entré/sortie ou l'augmentation de la longueur de rafale. Cependant, les deux techniques présentent des inconvénients. Dans un ou plusieurs aspects, il est proposé d'incorporer une correction d'erreur de liaison à la fois à l'hôte et aux dispositifs de mémoire pour résoudre les inconvénients associés aux techniques classiques. Le sous-système de mémoire proposé est avantageux ce qui fait que l'architecture d'interface de systèmes de mémoire classiques peut être maintenue. De plus, la capacité de correction d'erreur de liaison est fournie avec le sous-système de mémoire proposé sans augmenter la largeur d'e/s et sans augmenter la longueur de rafale.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)