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1. (WO2018038784) ATTÉNUATION DE PERTURBATION DE PROGRAMME D'ÉLECTRONS CHAUDS

Pub. No.:    WO/2018/038784    International Application No.:    PCT/US2017/034893
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Mon May 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: G11C 16/34
G11C 16/10
G11C 16/04
G11C 16/08
G11C 16/24
G11C 16/32
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: CHEN, Hong-Yan
DONG, Yingda
ZHAO, Wei
Title: ATTÉNUATION DE PERTURBATION DE PROGRAMME D'ÉLECTRONS CHAUDS
Abstract:
L'invention concerne des techniques permettant de réduire une perturbation de programme pendant la programmation d'un dispositif mémoire. Une perturbation de programme d'injection d'électrons chauds est empêchée ou réduite. L'amplification de tension du canal NON-ET d'une chaîne NON-ET inhibée par un programme peut être commandée de manière à réduire ou éliminer un champ électrique latéral qui pourrait éventuellement accélérer des électrons dans le canal NON-ET. Si les électrons consomment suffisamment d'énergie en raison du champ électrique latéral, ils pourraient potentiellement être injectés dans la région de stockage de charge d'une cellule de mémoire, ce qui provoque une perturbation de programme. Ainsi, l'amplification de tension peut empêcher ou réduire l'injection d'électrons chauds du canal NON-ET vers une région de stockage de charge d'une cellule de mémoire NON-ET pendant une opération de programmation, empêchant ou réduisant une perturbation de programme.