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1. (WO2018038598) DISPOSITIF D'INDUCTEUR EN SPIRALE À ACCORD FIN MONOLITHIQUE SUR PUCE
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N° de publication : WO/2018/038598 N° de la demande internationale : PCT/MY2017/050043
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 27.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.06.2018
CIB :
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
Déposants :
UNIVERSITI SAINS MALAYSIA [MY/MY]; Innovation Office, Division of Research and Innovation, Chancellory II, Block E42, USM Glugor, 11800, MY
SILTERRA MALAYSIA SDN BHD [MY/MY]; Lot 8, Industrial Zone Phase 2, Kulim Hi-tech Park, Kedah Kulim, 09000, MY
Inventeurs :
MOHD. NOH, Norlaili; MY
ABD MANAF, Asrulnizam; MY
ESHGHABADI, Farshad; MY
BANITORFIAN, Fatemeh; MY
HASHIM, Awatif; MY
MUSTAFFA, Mohd Tafir; MY
SIDEK, Othman; MY
KUNHI MOHD, Shukri Korakkottil; MY
MOHD. YUSOF, Yusman; MY
Mandataire :
PYPRUS SDN BHD; Unit 1608, 16th Floor, Block A, Damansara Intan, No. 1, Jalan SS20/27, Selangor Petaling Jaya, 47400, MY
Données relatives à la priorité :
PI 201670305122.08.2016MY
Titre (EN) MONOLITHIC ON-CHIP FINE TUNE SPIRAL INDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'INDUCTEUR EN SPIRALE À ACCORD FIN MONOLITHIQUE SUR PUCE
Abrégé :
(EN) A monolithic on-chip fine tune spiral inductor device comprises a semiconductor substrate including a plurality of metal layers; a plurality of peripheral metal grounds being formed in one of the metal layers and disposed at peripheral of the semiconductor substrate and connected to a perfect ground; a patterned metal shield formed in central portion of the semiconductor substrate on the same metal layer forming the peripheral metal grounds, wherein the patterned metal shield comprises a plurality of isolated metal slots, and the plurality of isolated metal slots are isolated from each other and switched individually or in a group; a conductive inductor loop having one or more turns overlying the patterned metal shield and being formed on a metal layer that is different from the one forming the peripheral metal grounds; and a plurality of switches electrically coupling the peripheral metal grounds to the metal slots of the patterned metal shield.
(FR) Un dispositif d'inducteur en spirale à accord fin monolithique sur puce comprend un substrat semi-conducteur comprenant une pluralité de couches métalliques; une pluralité de masses métalliques périphériques étant formées dans l'une des couches métalliques et disposées au niveau de la périphérie du substrat semi-conducteur et reliées à une masse parfaite; un blindage métallique à motifs formé dans une portion centrale du substrat semi-conducteur sur la même couche métallique formant les masses métalliques périphériques, le blindage métallique à motifs comprenant une pluralité de fentes métalliques isolées, et la pluralité de fentes métalliques isolées sont isolées les unes des autres et commutées individuellement ou dans un groupe; une boucle d'induction conductrice ayant une ou plusieurs spires recouvrant le blindage métallique à motifs et étant formée sur une couche métallique qui est différente de celle formant les masses métalliques périphériques; et une pluralité de commutateurs couplant électriquement les masses métalliques périphériques aux fentes métalliques du blindage métallique à motifs.
 front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)