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1. WO2018038598 - DISPOSITIF D'INDUCTEUR EN SPIRALE À ACCORD FIN MONOLITHIQUE SUR PUCE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2018/038598
Date de publication 01.03.2018
N° de la demande internationale PCT/MY2017/050043
Date du dépôt international 27.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.06.2018
CIB
H01L 49/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 27/06 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/82 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
CPC
H01L 23/5225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5225Shielding layers formed together with wiring layers
H01L 23/5227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
H01L 28/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
10Inductors
Déposants
  • UNIVERSITI SAINS MALAYSIA [MY]/[MY]
  • SILTERRA MALAYSIA SDN BHD [MY]/[MY]
Inventeurs
  • MOHD. NOH, Norlaili
  • ABD MANAF, Asrulnizam
  • ESHGHABADI, Farshad
  • BANITORFIAN, Fatemeh
  • HASHIM, Awatif
  • MUSTAFFA, Mohd Tafir
  • SIDEK, Othman
  • KUNHI MOHD, Shukri Korakkottil
  • MOHD. YUSOF, Yusman
Mandataires
  • PYPRUS SDN BHD
Données relatives à la priorité
PI 201670305122.08.2016MY
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MONOLITHIC ON-CHIP FINE TUNE SPIRAL INDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'INDUCTEUR EN SPIRALE À ACCORD FIN MONOLITHIQUE SUR PUCE
front page image
Abrégé
(EN) A monolithic on-chip fine tune spiral inductor device comprises a semiconductor substrate including a plurality of metal layers; a plurality of peripheral metal grounds being formed in one of the metal layers and disposed at peripheral of the semiconductor substrate and connected to a perfect ground; a patterned metal shield formed in central portion of the semiconductor substrate on the same metal layer forming the peripheral metal grounds, wherein the patterned metal shield comprises a plurality of isolated metal slots, and the plurality of isolated metal slots are isolated from each other and switched individually or in a group; a conductive inductor loop having one or more turns overlying the patterned metal shield and being formed on a metal layer that is different from the one forming the peripheral metal grounds; and a plurality of switches electrically coupling the peripheral metal grounds to the metal slots of the patterned metal shield.
(FR) Un dispositif d'inducteur en spirale à accord fin monolithique sur puce comprend un substrat semi-conducteur comprenant une pluralité de couches métalliques; une pluralité de masses métalliques périphériques étant formées dans l'une des couches métalliques et disposées au niveau de la périphérie du substrat semi-conducteur et reliées à une masse parfaite; un blindage métallique à motifs formé dans une portion centrale du substrat semi-conducteur sur la même couche métallique formant les masses métalliques périphériques, le blindage métallique à motifs comprenant une pluralité de fentes métalliques isolées, et la pluralité de fentes métalliques isolées sont isolées les unes des autres et commutées individuellement ou dans un groupe; une boucle d'induction conductrice ayant une ou plusieurs spires recouvrant le blindage métallique à motifs et étant formée sur une couche métallique qui est différente de celle formant les masses métalliques périphériques; et une pluralité de commutateurs couplant électriquement les masses métalliques périphériques aux fentes métalliques du blindage métallique à motifs.
Documents de brevet associés
MYPI 2016703051
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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