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1. (WO2018038547) ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE UTILISANT LEDIT ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
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N° de publication : WO/2018/038547 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/009246
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 24.08.2017
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/54 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
54
Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
Déposants :
한양대학교 산학협력단 IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) [KR/KR]; 서울시 성동구 왕십리로 222 222, Wangsimni-ro Seongdong-gu Seoul 04763, KR
Inventeurs :
전형탁 JEON, Hyeongtag; KR
Mandataire :
박상열 PARK, Sangyoul; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-010898526.08.2016KR
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION EQUIPMENT AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD USING SAME
(FR) ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE UTILISANT LEDIT ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(KO) 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법
Abrégé :
(EN) Atomic layer deposition equipment is provided. Atomic layer deposition equipment according to one embodiment of the present invention comprises: a gas supply module for simultaneously injecting, to different areas of a substrate to be deposited, an atomic layer deposition gas containing a source gas, a purge gas, and a reactive gas; and a stage which is provided on one side of the gas supply module and linearly transfers the substrate to be deposited, wherein at least two atomic layers may be deposited on the substrate to be deposited as the substrate to be deposited is linearly transferred along the stage, in one cycle.
(FR) L'invention concerne un équipement de dépôt de couche atomique. Un équipement de dépôt de couche atomique selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un module d'alimentation en gaz permettant d'injecter simultanément, à différentes zones d'un substrat à plaquer, un gaz de dépôt de couche atomique comportant un gaz source, un gaz de purge et un gaz réactif ; et un étage qui est disposé d'un côté du module d'alimentation en gaz et transfère linéairement le substrat à plaquer, au moins deux couches atomiques pouvant être déposées sur le substrat à plaquer étant donné que le substrat à plaquer est transféré de manière linéaire le long de l'étage, en un cycle.
(KO) 원자층 증착 장비가 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 원자층 증착 장비는, 소스 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 원자층 증착 가스를 동시에 증착 대상 기판의 다른 영역에 분사하는 가스 공급 모듈 및 상기 가스 공급 모듈의 일 측에 마련되며, 상기 증착 대상 기판을 직선으로 이송시키는 스테이지를 포함하되, 상기 스테이지를 따라 상기 증착 대상 기판이 상기 직선으로 1 싸이클(cycle) 이송됨에 따라 2층 이상의 원자층이 상기 증착 대상 기판에 증착될 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)