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1. (WO2018038512) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL VERTICAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Pub. No.:    WO/2018/038512    International Application No.:    PCT/KR2017/009168
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 23 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/73
H01L 29/66
H01L 29/423
Applicants: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY
한양대학교 산학협력단
Inventors: KIM, Tae Whan
김태환
AHN, Joon Sung
안준성
LEE, Jun Gyu
이준규
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL VERTICAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract:
L'invention concerne un transistor à effet de champ tunnel vertical et son procédé de production. Plus précisément, le transistor à effet de champ tunnel vertical comprend : une couche de source disposée sur un substrat et ayant une partie en saillie s'étendant vers le haut, la région globale comprenant la partie en saillie étant dopée à une concentration uniforme; un motif de canal, sur la couche de source, recouvrant la partie en saillie de la couche de source et exposant la partie restante de celle-ci; un motif de drain, sur le motif de canal, chevauchant le motif de canal et dopé de manière à avoir un gradient de concentration; un film d'isolation de grille recouvrant la couche de source, un motif de canal et un motif de drain; et une électrode de grille, sur le film d'isolation de grille, disposée autour du motif de canal.