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1. (WO2018038481) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICROCOMPOSANT, ET SUBSTRAT DE MICROCOMPOSANT FABRIQUÉ PAR UN PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICROCOMPOSANT
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N° de publication : WO/2018/038481 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/009082
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 21.08.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/18 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677
pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 CENTER FOR ADVANCED META-MATERIALS [KR/KR]; 대전시 유성구 가정북로 156,한국기계연구원1동 412,413,414,415호 KIMM Buliding 1 Rm. 412,413,414,415, 156 Gajeongbuk-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34103, KR
Inventeurs :
황보윤 HWANGBO, Yun; KR
최병익 CHOI, Byung Ik; KR
김재현 KIM, Jae Hyun; KR
정연우 JEONG, Yeon Woo; KR
홍성민 HONG, Seong Min; KR
장봉균 JANG, Bong Kyun; KR
김광섭 KIM, Kwang Seop; KR
김경식 KIM, Kyung Sik; KR
이학주 LEE, Hak Joo; KR
Mandataire :
김태완 KIM, Taewan; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-010775924.08.2016KR
Titre (EN) MICRO DEVICE TRANSFERRING METHOD, AND MICRO DEVICE SUBSTRATE MANUFACTURED BY MICRO DEVICE TRANSFERRING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICROCOMPOSANT, ET SUBSTRAT DE MICROCOMPOSANT FABRIQUÉ PAR UN PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICROCOMPOSANT
(KO) 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for transferring a micro device, comprising: a pressurization step; a first adhesive force forming step; a second adhesive force forming step; and a releasing step. The pressurization step enables a carrier film, in which the micro device is attached to an adhesive layer, and a substrate, on which a solder is applied onto a metal electrode, to contact each other and pressurize the same. In the first adhesive force forming step, a first adhesive force between the micro device and the solder is formed as the solder disposed between the micro device and the metal electrode is pressed by the pressurization step. In the second adhesive force forming step, a second adhesive force between the micro device and the adhesive layer is formed as the micro device is press-fitted into and bonded to the adhesive layer by the pressurization step. The releasing step releases the carrier film from the substrate, with the micro device adhered to the solder. The strength of the second adhesive force is proportional to a press-fitting depth at which the micro device is press-fitted into the adhesive layer, and the press-fitting depth of the micro device with respect to the adhesive layer is formed within a range in which the second adhesive force is formed to be smaller than the first adhesive force.
(FR) La présente invention concerne un procédé de transfert d'un microcomposant, comprenant : une étape de pression; une première étape de formation de force adhésive; une deuxième étape de formation de force adhésive; et une étape de libération. L'étape de pression permet à un film de support, dans lequel le microcomposant est fixé à une couche adhésive, et un substrat, sur lequel une brasure est appliquée sur une électrode métallique, d'entrer en contact l'un avec l'autre et d'être soumis à une pression. Dans la première étape de formation de force adhésive, une première force adhésive entre le microcomposant et la brasure est formée lorsque la brasure disposée entre le microcomposant et l'électrode métallique est pressée par l'étape de pression. Dans la deuxième étape de formation de force adhésive, une deuxième force adhésive entre le microcomposant et la couche adhésive est formée lorsque le dispositif de microcomposant est ajusté par pression et collé à la couche adhésive par l'étape de pression. L'étape de libération détache le film de support du substrat, le microcomposant étant collé à la brasure. L'amplitude de la deuxième force adhésive est proportionnelle à une profondeur d'ajustement par pression à laquelle le microcomposant est ajusté par pression dans la couche adhésive, et la profondeur d'ajustement par pression du microcomposant par rapport à la couche adhésive est formée dans une plage dans laquelle la deuxième force adhésive est formée de façon à être inférieure à la première force adhésive.
(KO) 본 발명은 마이크로 소자 전사방법에 관한 것으로서, 가압단계와, 제 1 점착력 형성단계와, 제 2 점착력 형성단계와, 이형단계를 포함한다. 가압단계는 점착층에 마이크로 소자가 부착된 캐리어 필름과, 금속전극 위에 솔더가 도포된 기판을 접촉시켜 가압한다. 제 1 점착력 형성단계는 가압단계에 의해 마이크로 소자와 금속전극 사이에 배치된 솔더가 눌리면서 마이크로 소자와 솔더 간의 제 1 점착력이 형성된다. 제 2 점착력 형성단계는 가압단계에 의하여 마이크로 소자가 점착층에 압입되어 접합되면서 마이크로 소자와 점착층 간의 제 2 점착력이 형성된다. 이형단계는 마이크로 소자가 솔더에 점착된 상태로 캐리어 필름을 기판으로부터 이형시킨다. 제 2 점착력의 크기는 마이크로 소자가 점착층에 압입되는 압입깊이에 비례하고, 제 2 점착력이 제 1 점착력보다 작게 형성되는 범위 내에서 점착층에 대한 마이크로 소자의 압입깊이가 형성된다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)