WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018038133) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/038133    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/030039
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 23.08.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : AKAGI Ai; (JP).
HINO Shiro; (JP).
SUGAWARA Katsutoshi; (JP).
SUGAHARA Kazuyuki; (JP).
ITO Masanao; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-164308 25.08.2016 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)First well regions (41) and a second well region (42), both of a second conductivity type, are provided on a drift layer (21) of a first conductivity type. A source region (80) of the first conductivity type is provided on each first well region (41). A field insulating film (31) thicker than a gate insulating film (30) is provided on the second well region (42). An interlayer insulating film (32) has a source contact hole (HS) on each source region (80) and a first well contact hole (HW1) on the second well region (42). A source electrode (10) is connected to each source region (80) through each source contact hole (HS) and to the second well region (42) through the first well contact hole (HW1). An insulator layer (90) thinner than the field insulating film (31) is provided on the second well region (42). A conductor layer (99) has a portion disposed on the second well region (42) with only the insulator layer (90) therebetween.
(FR)Des premières régions de puits (41) et une seconde région de puits (42), toutes deux d'un second type de conductivité, sont disposées sur une couche de dérive (21) d'un premier type de conductivité. Une région de source (80) du premier type de conductivité est disposée sur chaque première région de puits (41). Un film d'isolation de champ (31) plus épais qu'un film d'isolation de grille (30) est disposé sur la seconde région de puits (42). Un film isolant intercouche (32) comporte un trou de contact de source (HS) sur chaque région de source (80) et un premier trou de contact de puits (HW1) sur la seconde région de puits (42). Une électrode de source (10) est connectée à chaque région de source (80) à travers chaque trou de contact de source (HS) et à la seconde région de puits (42) à travers le premier trou de contact de puits (HW1) Une couche isolante (90) plus mince que le film d'isolation de champ (31) est disposée sur la seconde région de puits (42). Une couche conductrice (99) a une portion disposée sur la seconde région de puits (42), avec seulement la couche isolante (90) entre celles-ci.
(JA)第1導電型のドリフト層(21)上に第2導電型の第1ウェル領域(41)および第2ウェル領域(42)が設けられる。第1導電型のソース領域(80)は第1ウェル領域(41)上に設けられる。フィールド絶縁膜(31)は、第2ウェル領域(42)上に設けられ、ゲート絶縁膜(30)よりも厚い。層間絶縁膜(32)は、ソース領域(80)上のソースコンタクトホール(HS)と、第2ウェル領域(42)上の第1ウェルコンタクトホール(HW1)とを有する。ソース電極(10)は、ソースコンタクトホール(HS)を通ってソース領域(80)に接続され、かつ第1ウェルコンタクトホール(HW1)を通って第2ウェル領域(42)に接続される。絶縁体層(90)は、第2ウェル領域(42)上に設けられ、フィールド絶縁膜(31)よりも薄い。導電体層(99)は、絶縁体層(90)のみを介して第2ウェル領域(42)上に配置された部分を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)