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1. (WO2018038105) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III
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N° de publication : WO/2018/038105 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/029954
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 22.08.2017
CIB :
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
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ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
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caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
Déposants :
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2-9-13 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
Inventeurs :
佐藤 伴光 SATO, Tomoaki; JP
Mandataire :
特許業務法人レクスト国際特許事務所 LEXT, P.C.; 東京都新宿区西新宿6丁目24番1号 西新宿三井ビル18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16632326.08.2016JP
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体発光素子
Abrégé :
(EN) Provided is a group III nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer between an n-type layer and a p-type layer, having an n-electrode on the n-type layer and a p-electrode on the p-type layer, and having a mesa structure that includes the p-type layer, the group III nitride semiconductor light-emitting element being characterized in that, in a top view of the group III nitride semiconductor light-emitting element, the p-electrode has a projection in the mesa end direction, and has an n-electrode-unformed region near the mesa end of the tip edge of the projection.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III comprenant une couche active entre une couche de type n et une couche de type p, ayant une électrode n sur la couche de type n et une électrode p sur la couche de type p, et ayant une structure mesa qui comprend la couche de type p, l'élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III étant caractérisé en ce que, dans une vue de dessus de l'élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III, l'électrode p a une projection dans la direction d'extrémité mesa, et a une région non formée d'électrode n à proximité de l'extrémité mesa du bord de pointe de la saillie.
(JA) n型層とp型層との間に活性層を含み、前記n型層上にn電極、前記p型層上にp電極を有し、p型層を含むメサ構造を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記III族窒化物半導体発光素子の上面視において、前記p電極が、メサ端方向に凸部を有し、且つ、前記凸部の突端部のメサ端近傍にn電極不形成領域を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)