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1. (WO2018038098) DISPOSITIF DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2018/038098    International Application No.:    PCT/JP2017/029923
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 23 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 27/10
H01L 27/11521
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国立研究開発法人科学技術振興機構
Inventors: NAKAJIMA Atsushi
中嶋 敦
TACHIDA Eika
舘田 英加
WATANABE Yoshio
渡辺 義夫
HIRATA Naoyuki
平田 直之
NEGISHI Yuichi
根岸 雄一
SATO Minako
佐藤 実奈子
TSUNOYAMA Hironori
角山 寛規
YOKOYAMA Takaho
横山 高穂
Title: DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant, dans cet ordre : une section semi-conductrice (1); une première couche d'isolation (2); une couche de rétention de charge (3); une seconde couche d'isolation (4); et une électrode (5). La couche de rétention de charge comprend principalement un nanoagrégat (30) d'un nombre prédéterminé d'atomes.