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1. (WO2018037884) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
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N° de publication :    WO/2018/037884    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/028479
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
H03H 9/64 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA, Shinichi; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-164338 25.08.2016 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an acoustic wave device capable of adequately achieving impedance matching, and capable of increasing an amount of out-of-band attenuation. An acoustic wave device 1 is provided with: a first bandpass filter 2A which is unbalanced and which includes first and second vertically coupled resonator-type acoustic wave filters 5a, 5b connected in parallel with one another between an output terminal 4 and an antenna terminal 3, and first and second acoustic wave resonators S1a, S1b respectively connected between the antenna terminal 3 and the first and second vertically coupled resonator-type acoustic wave filters 5a, 5b; and a second bandpass filter 2B which is connected to the antenna terminal 3 and which has a different passband to the first bandpass filter 2A. The wavelength of an acoustic wave defined by an electrode finger pitch of IDT electrodes of the first acoustic wave resonator S1a is different from the wavelength of an acoustic wave defined by the electrode finger pitch of IDT electrodes of the second acoustic wave resonator S1b.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à ondes acoustiques capable d'obtenir de manière adéquate une adaptation d'impédance, et capable d'augmenter une quantité d'atténuation hors bande. Un dispositif à ondes acoustiques (1) comprend : un premier filtre passe-bande (2A) qui est déséquilibré et qui comprend des premier et second filtres d'ondes acoustiques de type résonateur couplés verticalement (5a, 5b) connectés en parallèle les uns aux autres entre une borne de sortie (4) et une borne d'antenne (3,) et des premier et second résonateurs à ondes acoustiques (S1a, S1b) connectés respectivement entre la borne d'antenne (3) et les premier et second filtres d'ondes acoustiques de type résonateur couplés verticalement (5a, 5b) ; et un second filtre passe-bande (2B) qui est connecté à la borne d'antenne (3) et qui a une bande passante différente de celle du premier filtre passe-bande (2A). La longueur d'onde d'une onde acoustique définie par un pas de doigt d'électrode d'électrodes interdigitées du premier résonateur à ondes acoustiques (S1) a est différente de la longueur d'onde d'une onde acoustique définie par le pas de doigt d'électrode des électrodes interdigitées du second résonateur à ondes acoustiques (S1b).
(JA)インピーダンス整合を十分にとることができ、かつ帯域外減衰量を大きくすることができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、出力端子4とアンテナ端子3との間に互いに並列に接続されている第1,第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ5a,5bと、第1,第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ5a,5bとアンテナ端子3との間にそれぞれ個別に接続されている第1,第2の弾性波共振子S1a,S1bとを有し、かつアンバランス型である第1の帯域通過型フィルタ2Aと、アンテナ端子3に接続されており、かつ第1の帯域通過型フィルタ2Aと通過帯域が異なる第2の帯域通過型フィルタ2Bとを備える。第1の弾性波共振子S1aのIDT電極の電極指ピッチにより規定される弾性波の波長と、第2の弾性波共振子S1bのIDT電極の電極指ピッチにより規定される弾性波の波長とが異なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)