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1. (WO2018037777) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/037777 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/026098
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 19.07.2017
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01F 10/32 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33
Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39
utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
16
contenant du cobalt
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32
Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : KARIYADA Eiji; JP
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; JP
YOSHII Masaaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16541726.08.2016JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 磁気抵抗素子及び電子デバイス
Abrégé :
(EN) This magnetoresistive element 10 is obtained by laminating a lower electrode 31, a first base layer 21A formed of a non-magnetic material, a storage layer 22 having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 23, a magnetization fixed layer 24 and an upper electrode 32. The storage layer 22 is formed of a magnetic material that has at least a 3d transition metal element and elemental boron in composition. This magnetoresistive element 10 additionally comprises a second base layer 21B between the lower electrode 31 and the first base layer 21A; and the second base layer 21B is formed of a material that contains at least one of the elements constituting the storage layer in composition.
(FR) La présente invention concerne un élément magnétorésistif (10) qui est obtenu par stratification d'une électrode inférieure (31), d'une première couche de base (21A) formée d'un matériau non-magnétique, d'une couche de stockage (22) ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, d'une couche intermédiaire (23), d'une couche fixe de magnétisation (24) et d'une électrode supérieure (32). La couche de stockage (22) est formée d'un matériau magnétique qui possède au moins un élément métallique de transition (3d) et du bore élémentaire dans la composition. Cet élément magnétorésistif (10) comprend en outre une deuxième couche de base (21B) entre l'électrode inférieure (31) et la première couche de base (21A); et la deuxième couche de base (21B) est formée d'un matériau qui contient au moins l'un des éléments constituant la couche de stockage dans la composition.
(JA) 磁気抵抗素子10は、下部電極31、非磁性材料から成る第1下地層21A、垂直磁気異方性を有する記憶層22、中間層23、磁化固定層24及び上部電極32が積層されて成り、記憶層22は、少なくとも3d遷移金属元素及びホウ素元素を組成として有する磁性材料から成り、下部電極31と第1下地層21Aとの間に、更に、第2下地層21Bを備えており、第2下地層21Bは、記憶層を構成する元素の少なくとも1種類の元素を組成として有する材料から成る。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)