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1. (WO2018037769) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/037769    International Application No.:    PCT/JP2017/025872
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Jul 19 01:59:59 CEST 2017
IPC: G01R 19/00
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: AKAMA Sadahiro
赤間 貞洋
ONO Hidekazu
小野 秀和
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un élément de commutation principal (Mtr) et un élément de commutation de détection (Str) qui est connecté en miroir de courant à l'élément de commutation principal et à travers lequel circule un courant de détection. L'élément de commutation principal possède une première borne (T1) et une deuxième borne (T2) en tant que bornes de sortie, et l'élément de commutation de détection possède une troisième borne (T3) connectée à la première borne, et une quatrième borne (T4) à travers laquelle circule le courant de détection. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une résistance de détection (23) servant à détecter le potentiel électrique de la quatrième borne, et un amplificateur opérationnel (OP1, OP2, OP3, OP4) dont les bornes d'entrée sont reliées à la deuxième borne et à la quatrième borne. L'amplificateur opérationnel est configuré de sorte que sa sortie renvoie aux bornes d'entrée, et ce trajet de rétroaction comprend la résistance de détection. Une tension relativement élevée (VH) par rapport à la première borne peut être fournie à l'amplificateur opérationnel, de sorte que la direction du courant de détection circulant vers la résistance de détection peut être commutée.