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1. (WO2018037758) DISPOSITIF DE RÉCEPTION D’ÉLECTRICITÉ ET DISPOSITIF D’ÉMISSION D’ÉLECTRICITÉ
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N° de publication :    WO/2018/037758    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/025704
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 14.07.2017
CIB :
H02J 50/10 (2016.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : HOSOTANI Tatsuya; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-162411 23.08.2016 JP
Titre (EN) POWER RECEPTION DEVICE AND POWER TRANSMISSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE RÉCEPTION D’ÉLECTRICITÉ ET DISPOSITIF D’ÉMISSION D’ÉLECTRICITÉ
(JA) 受電装置および送電装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a power reception coil (21A) to be coupled with a power transmission coil (11A) of a power transmission device (101); a rectifying circuit (221) having a diode (D1) and a transistor element (Q2), which are electrically connected to the power reception coil (21A), said rectifying circuit rectifying a high frequency alternating current flowing in the power reception coil (21A); output sections (Out1, Out2) that output, to a load (26), the current rectified by the rectifying circuit (221); a voltage detection circuit (24) that detects an output voltage Va; and a control circuit (25) that controls operations of the transistor element (Q2) on the basis of the output voltage Va. In the cases where the output voltage Va is equal to or smaller than a threshold value Va1, the control circuit (25) turns off the transistor element (Q2), and makes the rectifying circuit (221) perform rated rectifying operations, and in the cases where the voltage Va is equal to or larger than the threshold value Va2, the control circuit turns on the transistor element (Q2), and stops the rated rectifying operations.
(FR)La présente invention est pourvue de : une bobine de réception d’électricité (21A) destinée à être couplée à une bobine d’émission d’électricité (11A) d’un dispositif d’émission d’électricité (101) ; un circuit de redressement (221) comportant une diode (D1) et un élément de transistor (Q2), qui sont électriquement connectés à la bobine de réception d’électricité (21A), ledit circuit de redressement redressant un courant alternatif à haute fréquence circulant dans la bobine de réception d’électricité (21A) ; des sections de sortie (Out1, Out2) qui délivrent en sortie, vers une charge (26), le courant redressé par le circuit de redressement (221) ; un circuit de détection de tension (24) qui détecte une tension de sortie Va ; et un circuit de commande (25) qui commande des opérations de l’élément de transistor (Q2) sur la base de la tension de sortie Va. Dans les cas où la tension de sortie Va est égale ou inférieure à une valeur de seuil Va1, le circuit de commande (25) désactive l’élément de transistor (Q2), et amène le circuit de redressement (221) à effectuer des opérations de redressement nominal, et dans les cas où la tension Va est égale ou supérieure à la valeur de seuil Va2, le circuit de commande active l’élément de transistor (Q2), et arrête les opérations de redressement nominal.
(JA)送電装置(101)が有する送電コイル(11A)と結合する受電コイル(21A)と、受電コイル(21A)に電気的に接続されたダイオード(D1)およびトランジスタ素子(Q2)を有し、受電コイル(21A)に流れる高周波交流電流を整流する整流回路(221)と、整流回路(221)により整流される電流を負荷(26)へ出力する出力部(Out1,Out2)と、出力電圧Vaを検出する電圧検出回路(24)と、出力電圧Vaに基づいてトランジスタ素子(Q2)の動作を制御する制御回路(25)とを備える。制御回路(25)は、出力電圧Va≦閾値Va1の場合、トランジスタ素子(Q2)をオフして、定格整流動作を整流回路(221)に実行させ、電圧Va≧閾値Va2の場合、トランジスタ素子(Q2)をオンにして、定格整流動作を停止させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)