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1. (WO2018037755) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM ET TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM
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N° de publication :    WO/2018/037755    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/025625
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 13.07.2017
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KOBAYASHI Takeshi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA Mikio; (JP).
KOBAYASHI Toshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-164964 25.08.2016 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCTION METHOD, SILICON EPITAXIAL WAFER PRODUCTION METHOD, SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM ET TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶ウェーハの製造方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、シリコン単結晶ウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a silicon single crystal wafer production method that comprises the steps of: preparing a silicon single crystal in which the nitrogen concentration is 5 × 1011 to 5 × 1014 atoms/cm3, no oxidation induced stacking fault is detected after performing a two-step heat treatment at 1000ºC and 1150ºC in an oxidizing atmosphere, no void type defect with a size of 100 nm or greater is detected, and the number of void type defects that have sizes of greater than or equal to 10 nm and less than 100 nm is 0.01 per cm2; processing the silicon single crystal into a silicon single crystal wafer by slicing and then polishing; and subjecting the silicon single crystal wafer to a heat treatment at a temperature of 1050ºC to 1350ºC in a gas atmosphere containing H2 and/or Ar. In the silicon single crystal wafer production method, polishing is not performed after the heat treatment. This makes it possible to provide a silicon single crystal wafer in which high density BMDs are formed with in-plane uniformity, there are a reduced number of void type defects, no PID occurs, the DZ width is large, the oxide dielectric breakdown strength is excellent, and the flatness of the outer circumference of the wafer is excellent.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de tranche de monocristal de silicium qui comprend les étapes consistant à : préparer un monocristal de silicium dans lequel la concentration en azote est de 5 × 1011 à 5 × 1014 atomes/cm3, aucun défaut d'empilement induit par oxydation n'est détecté après réalisation d'un traitement thermique en deux étapes à 1000°C et à 1150°C dans une atmosphère oxydante, aucun défaut de type vide présentant une dimension de 100 nm ou plus n'est détecté et le nombre de défauts de type vide qui présentent des dimensions supérieures ou égales à 10 nm et inférieures à 100 nm est de 0,01 par cm2 ; transformer le monocristal de silicium en une tranche de monocristal de silicium par tranchage puis par polissage ; et soumettre la tranche de monocristal de silicium à un traitement thermique à une température de 1050°C à 1350°C dans une atmosphère gazeuse contenant H2 et/ou Ar. Dans le procédé de production de tranche de monocristal de silicium, le polissage n'est pas effectué après le traitement thermique. Ceci permet d'obtenir une tranche de monocristal de silicium dans laquelle des BMD de haute densité sont formés avec une uniformité dans le plan, il existe un nombre réduit de défauts de type vides, aucune PID ne se produit, la largeur de DZ est grande, la résistance à la rupture diélectrique d'oxyde est excellente et la planéité de la circonférence extérieure de la tranche est excellente.
(JA)本発明は、シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、窒素濃度が5×1011~5×1014atoms/cmであり、1000℃と1150℃の2段階の酸化性雰囲気の熱処理を行ったときに酸化誘起積層欠陥が検出されず、100nm以上のボイド状欠陥が検出されず、10nm以上100nm未満のボイド状欠陥を0.01個/cm以上有するシリコン単結晶を準備する工程と、該シリコン単結晶をスライス後に研磨加工してシリコン単結晶ウェーハに加工する工程と、該シリコン単結晶ウェーハをH及びArの少なくともいずれかを含むガス雰囲気で、1050℃以上1350℃以下の温度で熱処理する工程を有し、熱処理後に、研磨加工を実施しないシリコン単結晶ウェーハの製造方法である。これにより、高密度BMDを面内均一に形成することができ、ボイド状欠陥が少なく、PIDが発生せず、DZ幅が広く、酸化膜耐圧特性が良好で、ウェーハの外周平坦度の良いシリコン単結晶ウェーハが提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)