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1. (WO2018037755) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM ET TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/037755    International Application No.:    PCT/JP2017/025625
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 14 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/06
C30B 15/04
H01L 21/304
H01L 21/322
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: KOBAYASHI Takeshi
小林 武史
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM ET TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de production de tranche de monocristal de silicium qui comprend les étapes consistant à : préparer un monocristal de silicium dans lequel la concentration en azote est de 5 × 1011 à 5 × 1014 atomes/cm3, aucun défaut d'empilement induit par oxydation n'est détecté après réalisation d'un traitement thermique en deux étapes à 1000°C et à 1150°C dans une atmosphère oxydante, aucun défaut de type vide présentant une dimension de 100 nm ou plus n'est détecté et le nombre de défauts de type vide qui présentent des dimensions supérieures ou égales à 10 nm et inférieures à 100 nm est de 0,01 par cm2 ; transformer le monocristal de silicium en une tranche de monocristal de silicium par tranchage puis par polissage ; et soumettre la tranche de monocristal de silicium à un traitement thermique à une température de 1050°C à 1350°C dans une atmosphère gazeuse contenant H2 et/ou Ar. Dans le procédé de production de tranche de monocristal de silicium, le polissage n'est pas effectué après le traitement thermique. Ceci permet d'obtenir une tranche de monocristal de silicium dans laquelle des BMD de haute densité sont formés avec une uniformité dans le plan, il existe un nombre réduit de défauts de type vides, aucune PID ne se produit, la largeur de DZ est grande, la résistance à la rupture diélectrique d'oxyde est excellente et la planéité de la circonférence extérieure de la tranche est excellente.