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1. (WO2018037730) TRANSDUCTEUR CAPACITIF ULTRASONORE MICRO-USINÉ ET APPAREIL D'IMAGERIE ULTRASONORE LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2018/037730 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/024816
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 06.07.2017
CIB :
A61B 8/14 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD.[JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventeurs : TAKEZAKI, Taiichi; JP
MACHIDA, Shuntaro; JP
RYUZAKI, Daisuke; JP
YOSHIMURA, Yasuhiro; JP
NAGATA, Tatsuya; JP
YAMASHITA, Naoaki; JP
Mandataire : TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16379424.08.2016JP
Titre (EN) CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER AND ULTRASONIC IMAGING APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) TRANSDUCTEUR CAPACITIF ULTRASONORE MICRO-USINÉ ET APPAREIL D'IMAGERIE ULTRASONORE LE COMPRENANT
(JA) 容量検出型超音波トランスデューサおよびそれを備えた超音波撮像装置
Abrégé : front page image
(EN) A capacitive micromachined ultrasonic transducer 111A is provided with a silicon substrate 101, and an insulation film 102, a lower electrode 103, insulation films 104, 106, a cavity 105 that is constituted by a void formed in a portion of the insulation film 106, an upper electrode 107, insulation films 108, 114, and a protective film 109, which are formed on the silicon substrate 101. In addition, the insulation film 106 above the cavity 105, the upper electrode 107, the insulation film 108, and the insulation film 114 constitute part of a vibration film 110. The protective film 109 above the vibration film 110 is divided into a plurality of isolated patterns that are arranged in a regular manner spaced apart by gaps 115 having a constant interval.
(FR) L'invention concerne un transducteur 111A capacitif ultrasonore micro-usiné pourvu d'un substrat 101 en silicium et d'un film 102 isolant, d'une électrode 103 inférieure, de films 104, 106 isolants, d'une cavité 105 qui est constituée par un vide formé dans une partie du film 106 isolant, d'une électrode 107 supérieure, de films 108, 114 isolants et d'un film 109 de protection, qui sont formés sur le substrat 101 en silicium. De plus, le film 106 isolant au-dessus de la cavité 105, l'électrode supérieure 107, le film 108 isolant et le film 114 isolant constituent une partie d'un film 110 de vibration. Le film 109 de protection au-dessus du film 110 de vibration est divisé en une pluralité de motifs isolés qui sont agencés de manière régulière, écartés par des espaces 115 présentant un intervalle constant.
(JA) 容量検出型超音波トランスデューサ111Aは、シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成された絶縁膜102、下部電極103、絶縁膜104、106、絶縁膜106の一部に形成された空隙によって構成された空洞部105、上部電極107、絶縁膜108、114および保護膜109を備えている。また、空洞部105の上部の絶縁膜106、上部電極107、絶縁膜108、および絶縁膜114は、振動膜110を構成しており、振動膜110の上部の保護膜109は、一定間隔の隙間115を空けて規則的に配列された複数の孤立パターンに分割されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)