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1. (WO2018037701) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/037701    International Application No.:    PCT/JP2017/023349
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Jun 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/47
H01L 29/872
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAO Yukiyasu
中尾 之泰
EBIHARA Kohei
海老原 洪平
HINO Shiro
日野 史郎
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L'objectif de l'invention est de fournir une technique capable d’empêcher un endommagement d'un film d'isolation de grille. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : une pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteur, chacun étant un MOSFET et ayant une diode à barrière de Schottky intégrée à l'intérieur de celui-ci; une première électrode ohmique disposée au-dessus d'une première région sur le côté inverse d'une région de puits à partir d'une région prédéterminée et connectée électriquement à la première région; une première électrode de Schottky disposée sur une couche semi-conductrice exposée dans la première région de la région de puits; et un câblage électriquement connecté à la première électrode ohmique et à la première électrode de Schottky, tout en étant également électriquement connecté à une électrode de source.