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1. (WO2018037701) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2018/037701    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/023349
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 26.06.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : NAKAO Yukiyasu; (JP).
EBIHARA Kohei; (JP).
HINO Shiro; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-164480 25.08.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the invention is to provide a technique capable of suppressing damage to a gate insulation film. This semiconductor device comprises: a plurality of semiconductor switching elements, each being a MOSFET and having a Schottky barrier diode integrated therein; a first ohmic electrode arranged above a first region on the reverse side of a well region from a predetermined region and electrically connected to the first region; a first Schottky electrode arranged on a semiconductor layer exposed in the first region of the well region; and wiring electrically connected to the first ohmic electrode and the first Schottky electrode, while also being electrically connected to a source electrode.
(FR)L'objectif de l'invention est de fournir une technique capable d’empêcher un endommagement d'un film d'isolation de grille. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : une pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteur, chacun étant un MOSFET et ayant une diode à barrière de Schottky intégrée à l'intérieur de celui-ci; une première électrode ohmique disposée au-dessus d'une première région sur le côté inverse d'une région de puits à partir d'une région prédéterminée et connectée électriquement à la première région; une première électrode de Schottky disposée sur une couche semi-conductrice exposée dans la première région de la région de puits; et un câblage électriquement connecté à la première électrode ohmique et à la première électrode de Schottky, tout en étant également électriquement connecté à une électrode de source.
(JA)ゲート絶縁膜の破壊を抑制可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、MOSFETであって、ショットキーバリアダイオードを内蔵する複数の半導体スイッチング素子と、ウェル領域のうち規定領域と逆側の第1領域上方に配設され、当該第1領域と電気的に接続された第1オーミック電極と、ウェル領域の第1領域において露出された半導体層上に配設された第1ショットキー電極と、第1オーミック電極及び第1ショットキー電極と電気的に接続されるとともに、ソース電極と電気的に接続された配線とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)