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1. (WO2018037667) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/037667 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021173
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 07.06.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : KAWASHIMA, Hiroyuki; JP
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16487825.08.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGE PICKUP DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) [Problem] To provide: a semiconductor device wherein mechanical strength and reliability are maintained, while reducing inter-wiring capacitance by means of a gap; an image pickup device; and a method for manufacturing the semiconductor device. [Solution] Disclosed is a semiconductor device that is provided with: a multilayer wiring layer, in which insulating layers and diffusion preventing layers are alternately laminated, and wiring is provided inside; a through hole, which is provided by penetrating one or more insulating layers from one surface of the multilayer wiring layer, and the inner side of which is covered with a protection side wall; and a gap that is provided in one or more insulating layers, said gap being provided directly under the through hole.
(FR) [problème] fournir : un dispositif à semi-conducteur dans lequel la résistance mécanique et la fiabilité sont maintenues, tout en réduisant la capacité inter-câblage au moyen d'un espace; un dispositif de capture d'image; et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. [Solution] L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comporte : une couche de câblage multicouche, dans laquelle des couches isolantes et des couches de prévention de diffusion sont stratifiées en alternance, et un câblage est disposé à l'intérieur; un trou traversant, qui est fournie en pénétrant une ou plusieurs couches isolantes à partir d'une surface de la couche de câblage multicouche, et dont le côté intérieur est recouvert d'une paroi latérale de protection; et un espace qui est disposé dans une ou plusieurs couches isolantes, ledit espace étant disposé directement sous le trou traversant.
(JA) 【課題】空隙によって配線間容量が低減されつつ、かつ機械強度および信頼性が維持された半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁層と拡散防止層とが交互に積層され、内部に配線が設けられた多層配線層と、前記多層配線層の一方の表面から少なくとも1つ以上の絶縁層を貫通して設けられ、内側が保護側壁で覆われたスルーホールと、前記スルーホールの直下の少なくとも1つ以上の絶縁層に設けられた空隙と、を備える、半導体装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)