WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018037530) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/037530 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/074818
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 25.08.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : NANJO Takuma; JP
HAYASHIDA Tetsuro; JP
FURUKAWA Akihiko; JP
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The objective of the invention is to provide a technique allowing a sufficiently large drain current to be obtained for a semiconductor device in normally-OFF operation. This semiconductor device comprises: a channel layer 3a containing Alx1Iny1Ga1-x1-y1N (0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1); a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed in such a manner as to be separated from one another on the surface side of the channel layer 3a; high-concentration n-type impurity regions 7, 8 formed in such a manner as to be separated from one another and oriented from the surface of the channel layer 3a to the interior of the channel layer 3, at least in the portions that are under the source electrode 5 and the drain electrode 6, respectively; a gate insulation film layer 9a formed in such a manner as to cover the surface of the channel layer 3a between the high-concentration n-type impurity regions 7, 8; and a gate electrode 10 formed on the surface of the gate insulation film layer 9a. During the ON state, the current density between the source electrode 5 and the drain electrode 6 is 10 mA/mm or higher.
(FR) L'objectif de l'invention est de fournir une technique permettant d'obtenir un courant de drain suffisamment grand pour un dispositif à semi-conducteur dans un fonctionnement normalement BLOQUÉ. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend : une couche de canal contenant de l'Alx1Iny1Ga1-x1-y1N (0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1); une électrode de source 5 et une électrode de drain 6 formées de manière à être séparées l'une de l'autre sur le côté de surface de la couche de canal 3a; des régions d'impuretés de type n à haute concentration 7, 8 formées de manière à être séparées l'une de l'autre et orientées à partir de la surface de la couche de canal 3a vers l'intérieur de la couche de canal 3, au moins dans les portions qui sont sous l'électrode de source 5 et l'électrode de drain 6, respectivement; une couche de film d'isolation de grille 9a formée de manière à recouvrir la surface de la couche de canal 3a entre les régions d'impuretés de type n à haute concentration 7, 8; et une électrode de grille 10 formée sur la surface de la couche de film d'isolation de grille 9a. Pendant l'état de MARCHE, la densité de courant entre l'électrode de source 5 et l'électrode de drain 6 est de 10 mA/mm ou plus.
(JA) 半導体装置において、ノーマリオフ動作にて十分に大きなドレイン電流を得ることが可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1)からなるチャネル層3aと、チャネル層3aの表面側に互いに離間して形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、チャネル層3aの表面のうちの少なくともソース電極5およびドレイン電極6の下方部分からチャネル層3a内部に向けて互いに離間して形成された高濃度n型不純物領域7,8と、高濃度n型不純物領域7,8間におけるチャネル層3aの表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜層9aと、ゲート絶縁膜層9aの表面に形成されたゲート電極10とを備え、オン時のソース電極5およびドレイン電極6間の電流密度が10mA/mm以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)