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1. (WO2018037522) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/037522    International Application No.:    PCT/JP2016/074741
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Aug 26 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/28
H01L 21/329
H01L 29/868
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KACHI Takao
加地 考男
YOSHIURA Yasuhiro
吉浦 康博
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Le but de la présente invention est de réaliser facilement un test de spécification électrique pour garantir la qualité d'un dispositif à semi-conducteur contre des défauts de motif ou des dommages d'électrodes. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : la réalisation, sur un dispositif à semi-conducteur ayant un substrat semi-conducteur (1), d'une première couche semi-conductrice (2) formée sur un coté d'une première surface principale (1a) du substrat semi-conducteur (1), et un premier film d'électrode (5) formé sur la première couche semi-conductrice (2) en contact avec celui-ci, une première gravure à partir de la partie supérieure du premier film d'électrode (5) avec une sélectivité supérieure pour le matériau semi-conducteur de la première couche semi-conductrice (2) au matériau du premier film d'électrode (5); éliminer au moins partiellement une région de la première couche semi-conductrice (2) en-dessous d'une zone de défaut de motif (5a) ou d'une zone endommagée (5b) du premier film d'électrode (5); et former un film d'électrode (8) sur la zone de défaut de motif (5a) ou la zone endommagée (5b) du premier film d'électrode (5).