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1. (WO2018037296) CAPTEUR RFID À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE PERMETTANT UNE DÉTECTION DE MATÉRIAU ET DE STRUCTURE
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N° de publication : WO/2018/037296 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/054140
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 10.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 27.05.2018
CIB :
H03H 9/64 (2006.01) ,G01N 27/414 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
Déposants :
EPITRONIC HOLDINGS PTE. LTD. [SG/SG]; 100 Tras Street, #16-01 100 AM Singapore 079027, SG
Inventeurs :
RAM, Ayal; SG
LICHTENSTEIN, Amir; SG
Données relatives à la priorité :
62/377,77422.08.2016US
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE RFID SENSOR FOR MATERIAL AND STRUCTURE SENSING
(FR) CAPTEUR RFID À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE PERMETTANT UNE DÉTECTION DE MATÉRIAU ET DE STRUCTURE
Abrégé :
(EN) The present application describes embodiments of a zero-power radio-frequency identification (RFID) sensor chip based on a combination of a surface acoustic wave (SAW) transducer and two-dimensional electron gas (2DEG) or two-dimensional hole gas (2DHG) conducting structure, and its use as an ultrasensitive microphone for material and structure sensing. The SAW RFID sensor contains a piezoelectric substrate, on which a multilayer heterojunction structure is deposited. The heterojunction structure comprises at least two layers, a buffer layer and a barrier layer, wherein both layers are grown from III-V single-crystalline or polycrystalline semiconductor materials, such as Ga N/Al Ga N. Interdigitated transducers (IDTs) transducing SAWs are installed on top of the barrier layer. A conducting channel comprising a two-dimensional electron gas (2DEG), in case of two-layers configuration, or a two-dimensional hole gas (2DHG), in case of three-layers configuration, is formed at the interface between the buffer and barrier layers and provides electron or hole current in the system between the non-ohmic (capacitively- coupled) source and drain contacts connected to the formed channel.
(FR) La présente invention porte, dans des modes de réalisation, sur une puce de capteur d'identification par radiofréquence (RFID pour Radio Frequency IDentification) de tension nulle basée sur une combinaison d'un transducteur d'ondes acoustiques de surface (SAW pour Surface Acoustic Wave) et d'une structure conductrice de gaz électronique bidimensionnel (2DEG) ou de gaz de trou bidimensionnel (2DHG), et sur son utilisation en tant que microphone ultrasensible pour une détection de matériau et de structure. La puce de capteur d'identification RFID à ondes SAW contient un substrat piézoélectrique sur lequel est déposée une structure à hétérojonction multicouche. La structure à hétérojonction comprend au moins deux couches, une couche tampon et une couche barrière, les deux couches étant mises en croissance à partir de matériaux semiconducteurs monocristallins ou polycristallins III-V tels que Ga N/Al Ga N. Des transducteurs interdigités (IDT pour InterDigitated Transducer) qui réalisent la transduction des ondes SAW, sont installés au-dessus de la couche barrière. Un canal conducteur comprenant un gaz électronique bidimensionnel (2DEG), en cas d'une configuration à deux couches, ou un gaz de trou bidimensionnel (2DHG), en cas d'une configuration en trois couches, est formé au niveau de l'interface entre la couche tampon et la couche barrière et fournit un courant d'électron ou de trou dans le système entre les contacts de source et de drain non ohmiques (couplés de manière capacitive) reliés au canal formé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)