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1. (WO2018036951) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DIRECT DE PALLADIUM SUR UNE SURFACE NON ACTIVÉE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DE GALLIUM
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N° de publication : WO/2018/036951 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/071003
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 21.08.2017
CIB :
C23C 18/16 (2006.01) ,C23C 18/44 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH[DE/DE]; Erasmusstraße 20 10553 Berlin, DE
Inventeurs : WALTER, Andreas; DE
Mandataire : SCHULZ, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
16185352.823.08.2016EP
Titre (EN) METHOD FOR DIRECTLY DEPOSITING PALLADIUM ONTO A NON-ACTIVATED SURFACE OF A GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DIRECT DE PALLADIUM SUR UNE SURFACE NON ACTIVÉE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DE GALLIUM
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor, the use of an acidic palladium plating bath (as defined below) for directly depositing metallic palladium or a palladium alloy onto a non-activated surface of a doped or non-doped gallium nitride semiconductor, and a palladium or palladium alloy coated, doped or non-doped gallium nitride semiconductor.
(FR) La présente invention concerne un procédé de dépôt direct de palladium sur une surface non activée d'un semi-conducteur au nitrure de gallium, l'utilisation d'un bain de placage au palladium acide (tel que défini ci-dessous) pour le dépôt direct de palladium métallique ou d'un alliage de palladium sur une surface non activée d'un semi-conducteur au nitrure de gallium dopé ou non dopé, et un semi-conducteur au nitrure de gallium dopé ou non dopé, revêtu de palladium ou d'alliage de palladium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)