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1. (WO2018036769) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROJECTEUR DOTÉ D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2018/036769    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/069534
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
H01L 33/50 (2010.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : GÖÖTZ, Britta; (DE).
LINKOV, Alexander; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 115 533.0 22.08.2016 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND SCHEINWERFER MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND HEADLIGHT COMPRISING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROJECTEUR DOTÉ D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: -einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Vielzahl an Pixeln (3), die eine aktive Schicht (2) aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs geeignet ist, und -einer Vielzahl an Konversionselementen (6), wobei -jedes Konversionselement (6) dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, -jedes Pixel (3) eine Strahlungsaustrittsfläche (5) aufweist und auf jeder Strahlungsaustrittsfläche (5) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, und -jedes Konversionselement (6) in einem zentralen Bereich eine größere Dicke aufweist, als in einem Randbereich. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip having the following features is specified: – a semiconductor layer sequence (1) having a multiplicity of pixels (3), which comprises an active layer (2) suitable for generating electromagnetic radiation in a first wavelength range, and – a multiplicity of conversion elements (6), wherein – each conversion element (6) is suitable for converting radiation in the first wavelength range into radiation in a second wavelength range, – each pixel (3) comprises a radiation exit surface (5) and a conversion element (6) is arranged on each radiation exit surface (5), and – each conversion element (6) has a greater thickness in a central region than in an edge region. Furthermore, a method for producing an optoelectronic semiconductor chip and a headlight comprising an optoelectronic semiconductor chip are specified.
(FR)La présente invention concerne une puce semi-conductrice opto-électronique comprenant les caractères suivants : - une série de couches semi-conductrices (1) avec une pluralité de pixels (3), qui comprend une couche active (2) qui est appropriée pour générer un rayonnement électromagnétique d’une première plage de longueurs d’onde ; et - une pluralité d’éléments de conversion (6), caractérisée en ce que : - chaque élément de conversion (6) est approprié pour convertir un rayonnement de la première plage de longueurs d’onde en un rayonnement d’une seconde plage de longueurs d’onde ; - chaque pixel (3) présente une surface d’émission de rayonnement (5) sur laquelle est disposé un élément de conversion (6) ; et - chaque élément de conversion (6) présente dans une zone centrale une plus grande épaisseur que dans une zone périphérique. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d’une puce semi-conductrice optoélectronique et un projecteur doté d’une puce semi-conductrice optoélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)