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1. (WO2018036413) TRANSISTORS MÉTAL-ISOLANT-SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PROTECTION INTERFACIALE GRILLE-DIÉLECTRIQUE/SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/036413    International Application No.:    PCT/CN2017/097646
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 17 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/778
Applicants: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Inventors: CHEN, Jing
HUA, Mengyuan
Title: TRANSISTORS MÉTAL-ISOLANT-SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PROTECTION INTERFACIALE GRILLE-DIÉLECTRIQUE/SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Des Structures, des dispositifs et des procédés sont prévus pour former une couche de protection d'interface (204) adjacente à une structure de grille entièrement ou partiellement évidée (202) d'un nitrure du groupe III, un transistor à haute mobilité d'électrons à semi-conducteur métal-isolant (MIS-HEMT) ou un dispositif de transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur (MIS-FET), et formant un diélectrique de grille (114) disposé sur la couche de protection d'interface (204).