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1. (WO2018036413) TRANSISTORS MÉTAL-ISOLANT-SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PROTECTION INTERFACIALE GRILLE-DIÉLECTRIQUE/SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/036413 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/097646
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01)
Déposants : THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[CN/CN]; Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, CN
Inventeurs : CHEN, Jing; CN
HUA, Mengyuan; CN
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
62/494,81322.08.2016US
Titre (EN) METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH GATE-DIELECTRIC/SEMICONDUCTOR INTERFACIAL PROTECTION LAYER
(FR) TRANSISTORS MÉTAL-ISOLANT-SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PROTECTION INTERFACIALE GRILLE-DIÉLECTRIQUE/SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN) Structures, devices and methods are provided for forming an interface protection layer (204) adjacent to a fully or partially recessed gate structure (202) of a group III nitride, a metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor (MIS-HEMT) device or a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MIS-FET) device, and forming a gate dielectric (114) disposed on the interface protection layer (204).
(FR) Des Structures, des dispositifs et des procédés sont prévus pour former une couche de protection d'interface (204) adjacente à une structure de grille entièrement ou partiellement évidée (202) d'un nitrure du groupe III, un transistor à haute mobilité d'électrons à semi-conducteur métal-isolant (MIS-HEMT) ou un dispositif de transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur (MIS-FET), et formant un diélectrique de grille (114) disposé sur la couche de protection d'interface (204).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)