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1. (WO2018036193) ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT CHIMIQUE BASSE PRESSION DE FILM MINCE DE PÉROVSKITE ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION, ET APPLICATION

Pub. No.:    WO/2018/036193    International Application No.:    PCT/CN2017/082794
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 04 01:59:59 CEST 2017
IPC: C23C 16/455
C23C 16/52
C23C 16/40
Applicants: HANGZHOU MICROQUANTA SEMICONDUCTOR CO., LTD
杭州纤纳光电科技有限公司
Inventors: YAO, Jizhong
姚冀众
YAN, Buyi
颜步一
Title: ÉQUIPEMENT DE DÉPÔT CHIMIQUE BASSE PRESSION DE FILM MINCE DE PÉROVSKITE ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION, ET APPLICATION
Abstract:
L'invention concerne un équipement de dépôt chimique basse pression de film mince de pérovskite et son procédé d'utilisation, et une application. L'équipement comprend une cavité principale (26). Deux étages de chauffage de précurseur (9) et (13) et une rainure de fixation de substrat (10) sont disposés dans la cavité principale (26). Des boîtes de stockage de précurseur (8) et (12) sont disposées respectivement sur les étages de chauffage de précurseur (9) et (13). Une pluralité de substrats (11) à déposer avec un film mince est placée sur la rainure de fixation de substrat (10). Chaque groupe de substrats (11) comprend deux substrats (11) étroitement placés dos à dos. Les surfaces des deux substrats (11) à déposer avec un film mince font chacune face à une extrémité de la cavité principale (26). Les extrémités gauche et droite de la cavité principale (26) sont respectivement en communication avec des conduites de gaz porteur possédant des soupapes de commande d'admission de gaz porteur (1) et (22). La cavité principale (26) est également en communication avec un dispositif de mise sous vide. Un dispositif de chauffage de cavité principale permettant de chauffer les substrats (11) est également disposé sur la cavité principale (26). Les conduites de gaz porteur aux deux extrémités sont respectivement en communication avec des dispositifs d'évaporation de solvant. Le gaz entre par les deux extrémités de la cavité principale et les substrats sont disposés dos à dos, de telle sorte que la vitesse de préparation d'un film mince de pérovskite à l'aide du procédé est doublée par rapport à celle du procédé existant.