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1. (WO2018036192) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE DE PÉROVSKITE ET ÉQUIPEMENT DE FORMATION, PROCÉDÉ D'UTILISATION D'ÉQUIPEMENT DE FORMATION ET APPLICATION
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N° de publication :    WO/2018/036192    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/082793
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 03.05.2017
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : HANGZHOU MICROQUANTA SEMICONDUCTOR CO., LTD [CN/CN]; No. 18 Haichuangyuan Building No. 998 Wenyi West Road, Wuchang Street Yuhang District, Hangzhou, Zhejiang 311121 (CN)
Inventeurs : YAO, Jizhong; (CN).
YAN, Buyi; (CN)
Mandataire : Y&M LAW FIRM ZHEJIANG; Block 1 No. 4 Floor Xixi Joy Valley Creative Industry Park No. 716, Wen'er West Road Hangzhou, Zhejiang 310031 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610721611.4 25.08.2016 CN
Titre (EN) PEROVSKITE THIN FILM FORMING METHOD AND FORMING EQUIPMENT, METHOD OF USING FORMING EQUIPMENT, AND APPLICATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE DE PÉROVSKITE ET ÉQUIPEMENT DE FORMATION, PROCÉDÉ D'UTILISATION D'ÉQUIPEMENT DE FORMATION ET APPLICATION
(ZH) 钙钛矿层薄膜的成型方法、成型设备及其使用方法和应用
Abrégé : front page image
(EN)A perovskite thin film forming method and forming equipment, a method of using the forming equipment, and an application of the using method. The forming method uses a tubular cavity (2). A substrate feeding section (M1) and a substrate unloading section (M5) are provided at the front and back of the tubular cavity (2) respectively. The tubular cavity (2) is provided with a plurality of deposition cavities (M2) and/or transition cavities (M3) and/or annealing cavities (M4). Object stages (7, 19), air pressure regulation devices (1, 18), and heating devices (8, 16) are provided in the deposition cavity (M2) and the annealing cavity (M4) respectively. The heating devices (8, 16) heat reactants in the object stages (7, 19). The reactants are heated to evaporate and then gas particles are deposited on the surfaces of substrates (9) in the cavity. Adjacent section and cavity and adjacent cavities are separated by separator plates (4, 12, 15, 20). The forming method comprises the following steps: placing on a substrate support (24) the substrates (9) to be deposited with a thin film; and by using transmission devices (3, 10, 11, 14, 22) provided in the tubular cavity (2), enabling the substrates (9) to continuously pass through the plurality of deposition cavities (M2), transition cavities (M3), and annealing cavities (M4) in sequence starting from the substrate feeding section (M1), and finally unloading the substrates (9) deposited with the perovskite thin film from the substrate support (24) of the substrate unloading section (M5).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de film mince de pérovskite et un équipement de formation, un procédé d'utilisation de l'équipement de formation et une application du procédé d'utilisation. Le procédé de formation utilise une cavité tubulaire (2). Une section d'alimentation en substrat (M1) et une section d’évacuation de substrat (M5) sont disposées respectivement à l'avant et à l'arrière de la cavité tubulaire (2). La cavité tubulaire (2) est munie d'une pluralité de cavités de dépôt (M2) et/ou de cavités de transition (M3) et/ou de cavités de recuit (M4). Des platines porte-objets (7, 19), des dispositifs de régulation de pression d'air (1, 18) et des dispositifs de chauffage (8, 16) sont disposés respectivement dans la cavité de dépôt (M2) et la cavité de recuit (M4). Les dispositifs de chauffage (8, 16) chauffent des réactifs dans les platines porte-objets (7, 19). Les réactifs sont chauffés pour s'évaporer, puis des particules de gaz sont déposées sur les surfaces de substrats (9) dans la cavité. Une section et une cavité adjacentes et les cavités adjacentes sont séparées par des plaques de séparation (4, 12, 15, 20). Le procédé de formation consiste : à placer sur un support de substrat (24), des substrats (9) à déposer au moyen d’un film mince ; et à l’aide de dispositifs de transmission (3, 10, 11, 14, 22) disposés dans la cavité tubulaire (2), à permettre aux substrats (9) de passer en continu à travers la pluralité de cavités de dépôt (M2), de cavités de transition (M3) et de cavités de recuit (M4) en séquence à partir de la section d'alimentation en substrat (M1), et enfin à évacuer les substrats (9) déposés au moyen du film mince de pérovskite à partir du support de substrat (24) de la section d’évacuation de substrat (M5).
(ZH)一种钙钛矿层薄膜的成型方法、成型设备、成型设备的使用方法和使用方法的应用。成型方法为利用一管状腔体(2),在管状腔体(2)前后分别设置有基片进入段(M1)和基片取出段(M5),管状腔体(2)分别设置有若干沉积腔(M2)和/或过渡腔(M3)和/或退火腔(M4),在沉积腔(M2)和退火腔(M4)中分别设置有载物台(7,19)、气压调节装置(1,18)和加热装置(8,16),加热装置(8,16)对载物台(7,19)中的反应物进行加热,反应物加热蒸发后其气体颗粒沉积到位于所在腔室中的基片(9)表面上,在相邻段与腔室以及各腔室之间分别利用隔板(4,12,15,20)隔开;成型方法包括以下步骤:将待沉积薄膜的基片(9)放置在基板架(24)上,由设置在管状腔体(2)内的传送装置(3,10,11,14,22)从基片进入段(M1)开始,依次连续地通过若干沉积腔(M2)、过渡腔(M3)和退火腔(M4)后,最后从基片取出段(M5)的基板架(24)上取出已沉积完钙钛矿层薄膜的基片(9)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)