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1. (WO2018036190) TRANSISTOR À COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE PRESSION L'UTILISANT, ET DISPOSITIF TACTILE
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N° de publication : WO/2018/036190 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/082326
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 28.04.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,G06F 3/041 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3
Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
01
Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
03
Dispositions pour convertir sous forme codée la position ou le déplacement d'un élément
041
Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
北京京东方显示技术有限公司 BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 经济技术开发区经海一路118号 No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs :
张斌 ZHANG, Bin; CN
王光兴 WANG, Guangxing; CN
陈鹏名 CHEN, Pengming; CN
解宇 XIE, Yu; CN
张衎 ZHANG, Kan; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201610742811.826.08.2016CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR DETECTING PRESSURE USING SAME, AND TOUCH DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE PRESSION L'UTILISANT, ET DISPOSITIF TACTILE
(ZH) 薄膜晶体管和利用其检测压力的方法、以及触控装置
Abrégé :
(EN) A thin film transistor, a method for detecting pressure using same, and a touch device. A thin film transistor (100) comprises: an active layer (40); a source (51) and a drain (52) which are spaced apart from each other and connected to the active layer (40); a first insulating layer (60), the first insulating layer (60) and the active layer (40) being stacked; and a piezoelectric layer (70) which is spaced apart from the source (51) and the drain (52) and is spaced apart from the active layer (40) by means of the first insulating layer (60).
(FR) L'invention concerne un transistor à couche mince, un procédé de détection de pression l'utilisant, et un dispositif tactile. Un transistor à couche mince (100) comprend : une couche active (40); une source (51) et un drain (52) qui sont espacées l'une de l'autre et reliées à la couche active (40); une première couche isolante (60), la première couche isolante (60) et la couche active (40) étant empilées; et une couche piézoélectrique (70) qui est espacée de la source (51) et le drain (52) et est espacée de la couche active (40) au moyen de la première couche isolante (60).
(ZH) 一种薄膜晶体管和利用其检测压力的方法、以及触控装置。薄膜晶体管(100)包括:有源层(40);源极(51)和漏极(52),其彼此间隔开并且都与所述有源层(40)连接;第一绝缘层(60),其与所述有源层(40)层叠设置;以及压电层(70),其与所述源极(51)和所述漏极(52)间隔开并且通过所述第一绝缘层(60)与所述有源层(40)间隔开。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)