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1. (WO2018036027) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL DE TYPE IPS, ET SUBSTRAT MATRICIEL DE TYPE IPS
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N° de publication : WO/2018/036027 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/110070
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 15.12.2016
CIB :
G02F 1/1343 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333
Dispositions relatives à la structure
1343
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
周志超 ZHOU, Zhichao; CN
夏慧 XIA, Hui; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201610711928.X23.08.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING IPS TYPE ARRAY SUBSTRATE, AND IPS TYPE ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL DE TYPE IPS, ET SUBSTRAT MATRICIEL DE TYPE IPS
(ZH) IPS型阵列基板的制作方法及IPS型阵列基板
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing an IPS type array substrate, and an IPS type array substrate. The method for manufacturing an IPS type array substrate comprises: using a halftone mask (90) to prepare both a common electrode (21) and a pixel electrode (22) which are vertically staggered, and enabling the common electrode (21) to be located in a common electrode channel (151) of an insulating protective layer (15) and the pixel electrode (22) to be located on the upper surface of the insulating protective layer (15). Compared with a conventional IPS type array substrate, a vertical component of an electric field can be generated between the common electrode (21) and the pixel electrode (22) in the obtained IPS type array substrate. Therefore, liquid crystals above the pixel electrode in a liquid crystal panel can also be driven and utilized. The liquid crystals can rotate horizontally, and can also form a vertical tilt angle, thereby improving the utilization efficiency of the liquid crystals, and the light transmittance. Compared with an FFS type array substrate which also allows liquid crystals above a pixel electrode to be used, a photomask and a process can be saved, thereby reducing the production cost.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de substrat matriciel de type IPS, et un substrat matriciel de type IPS. Le procédé de fabrication d'un substrat matriciel de type IPS comprend les étapes suivantes : utiliser un masque en demi-teinte (90) pour préparer à la fois une électrode commune (21) et une électrode de pixel (22) qui sont décalées verticalement, et permettre à l'électrode commune (21) d'être située dans un canal d'électrode commune (151) d'une couche de protection isolante (15) et à l'électrode de pixel (22) d'être située sur la surface supérieure de la couche de protection isolante (15). Par rapport à un substrat matriciel de type IPS classique, une composante verticale d'un champ électrique peut être produite entre l'électrode commune (21) et l'électrode de pixel (22) dans le substrat matriciel de type IPS obtenu. Par conséquent, des cristaux liquides au-dessus de l'électrode de pixel dans un panneau à cristaux liquides peuvent également être pilotés et utilisés. Les cristaux liquides peuvent tourner horizontalement, et peuvent aussi former un angle d'inclinaison vertical, améliorant ainsi l'efficacité d'utilisation des cristaux liquides, et la transmittance de lumière. Par rapport à un substrat matriciel de type FFS qui permet également d'utiliser des cristaux liquides au-dessus d'une électrode de pixel, on peut économiser un photomasque et un processus, ce qui réduit le coût de production.
(ZH) 一种IPS型阵列基板的制作方法及IPS型阵列基板。IPS型阵列基板的制作方法,利用一半色调掩模板(90)同时制得纵向交错的公共电极(21)与像素电极(22),使公共电极(21)位于绝缘保护层(15)的公共电极沟道(151)内,像素电极(22)位于绝缘保护层(15)的上表面上,所得到的IPS型阵列基板与传统的IPS型阵列基板相比,公共电极(21)与像素电极(22)之间能够产生电场的纵向分量,所以在液晶面板内像素电极上方的液晶也能被驱动和利用,液晶不仅能水平转动,还能产生一定的纵向倾角,从而提高了液晶的利用效率和光线的透过率,与同样能利用像素电极上方液晶的FFS型阵列基板相比,可以节省一道光罩和制程,从而节约了生产成本。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)