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1. (WO2018035902) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN À BASSE TEMPÉRATURE, SUBSTRAT DE MATRICE ET PANNEAU D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2018/035902    International Application No.:    PCT/CN2016/099215
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Mon Sep 19 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/77
H01L 27/12
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: HAO, Xiaodan
郝晓丹
YIN, Wanting
殷婉婷
Title: PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN À BASSE TEMPÉRATURE, SUBSTRAT DE MATRICE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un substrat de matrice de silicium polycristallin à basse température. Le procédé consiste : à fournir un substrat (200), et à former une couche tampon (202) sur le substrat (200) ; à former une couche de film mince de silicium amorphe dopé sur la couche tampon (202) au moyen du dépôt en phase vapeur d'un premier gaz mixte et d'un gaz dopé aux ions ; à déshydrogéner la couche de film mince de silicium amorphe au moyen du dépôt en phase vapeur d'un deuxième gaz mixte ; à recuire la couche de film mince de silicium amorphe déshydrogénée de telle sorte que les ions dopés sont diffusés de manière à former une couche de silicium polycristallin (203) ; et à effectuer un modèle sur la couche de silicium polycristallin (203). Ce procédé de préparation peut efficacement simplifier le processus de fabrication d'un substrat de matrice de silicium polycristallin à basse température, réduire l'investissement dans un équipement de fabrication et réduire les coûts de préparation. L'invention concerne en outre un substrat de matrice et un panneau d'affichage.