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1. (WO2018035688) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBONE QUANTIQUE DE GRAPHÈNE MULTICOUCHE FABRIQUÉ À L'AIDE D'UNE MEMBRANE PI ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/035688    International Application No.:    PCT/CN2016/096271
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 23 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/12
H01L 29/16
H01L 29/167
H01L 21/324
Applicants: SHENZHEN DANBOND TECHNOLOGY CO., LTD
深圳丹邦科技股份有限公司
Inventors: LIU, Ping
刘萍
Title: MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBONE QUANTIQUE DE GRAPHÈNE MULTICOUCHE FABRIQUÉ À L'AIDE D'UNE MEMBRANE PI ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un matériau semi-conducteur à base de carbone quantique de graphène multicouche fabriqué à l'aide d'une membrane PI, et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend : S1. La réalisation d'un frittage de poids moléculaire élevé, à l'aide d'une membrane PI en tant que matière première, à une première température pour éliminer les atomes H, O et N et former un précurseur de carbone; et S2. L'ajustement à une seconde température pour effectuer une graphitisation sur le précurseur de carbone pour former un matériau semi-conducteur bidimensionnel à base de carbone quantique de graphène multicouche. Le dopage avec un matériau nano métallique est réalisé au moins dans l'étape S2 pour former des points quantiques dans le graphène multicouche. Le matériau semi-conducteur bidimensionnel à base de carbone quantique de graphène multicouche fabriqué à l'aide du procédé présente une structure moléculaire présentant un maillage hexagonal plat. La structure a un agencement ordonné, est flexible, a un grand rapport de tortuosité, et une dispersion intrafaciale extrêmement petite et un décalage. Une bande interdite peut être formée en utilisant un dopage de nanométal. La bande interdite peut également être commandée. Le procédé de fabrication permet d'obtenir une grande surface, un faible coût, un grand lot, et une production continue de bobine à bobine.